[發明專利]芯片封裝結構的形成方法

在審

• 申請號: 202010343372.X
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN112151392A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 楊盛耀;李苓瑋;吳毓瑞;黃震麟;李建成;陳列全;朱則榮;劉國洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/488
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

本發明實施例提供芯片封裝結構的形成方法。方法包含在芯片上形成第一導電凸塊和第一環狀結構。第一環狀結構環繞第一導電凸塊，第一環狀結構和第一導電凸塊由相同的第一材料制成，芯片包含互連結構，且第一環狀結構電性絕緣于互連結構和第一導電凸塊。方法包含將芯片經由第一導電凸塊接合至基板。

技術領域

本發明實施例涉及芯片封裝結構及其形成方法，尤其涉及具有環狀結構的芯片封裝結構及其制造方法。

背景技術

半導體裝置被用于各式各樣的電子應用中，例如個人電腦、手機、數字相機和其他電子設備。通常而言，半導體裝置的制造是借著在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層、導電層和半導體層，且使用光刻將各種材料層圖案化以形成電路組件和元件。

通常將數十或數百個集成電路制造在單一半導體晶片上。借著沿切割線對集成電路進行切割以將個別的裸片(die)分離。然后將個別的裸片各自封裝。通過持續地降低最小部件尺寸，半導體產業不斷改善各種電子組件(例如晶體管、二極管、電阻、電容等)的整合密度，使得在給定的區域中允許整合更多的組件。然而，由于部件尺寸不斷地縮小，生產工藝持續變得更難以實施。因此，形成高整合密度的電子組件的可靠封裝是一項挑戰。

發明內容

根據本發明實施例中的一些實施例，提供芯片封裝結構的形成方法。方法包含在芯片上形成第一導電凸塊和第一環狀結構。第一環狀結構環繞第一導電凸塊，第一環狀結構和第一導電凸塊由相同的第一材料制成，且芯片包含互連結構。方法也包含將芯片經由第一導電凸塊接合至基板。第一環狀結構電性絕緣于互連結構、第一導電凸塊和基板。

根據本發明實施例中的一些實施例，提供芯片封裝結構的形成方法。方法包含將芯片接合至第一基板的第一表面，以及在第一基板的第二表面上形成第一掩膜層。第一掩膜層具有第一開口和環繞第一開口的第一溝槽。方法也包含在第一開口和第一溝槽內電鍍形成第一導電層。第一開口內的第一導電層形成第一導電凸塊，第一溝槽內的第一導電層形成第一環狀結構，且第一環狀結構電性絕緣于芯片和第一導電凸塊。方法還包含移除第一掩膜層，以及將第一基板經由第一導電凸塊接合至第二基板。第一環狀結構電性絕緣于第二基板。

根據本發明實施例中的一些實施例，提供芯片封裝結構。芯片封裝結構包含基板，以及在基板上的芯片。芯片封裝結構也包含在芯片與基板之間且連接至芯片的第一導電凸塊。芯片封裝結構還包含在芯片與基板之間且連接至芯片的第一環狀結構。第一環狀結構環繞第一導電凸塊，第一環狀結構與第一導電凸塊由相同的第一材料制成，芯片包含互連結構，且第一環狀結構電性絕緣于互連結構和第一導電凸塊。

附圖說明

通過以下的詳述配合所附附圖可更加理解本發明實施例的內容。需注意的是，根據產業上的標準做法，各種部件并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意增加或減少。

圖1A～圖1I是根據一些實施例，顯示形成芯片封裝結構的工藝的各個階段的剖面示意圖。

圖1A-1是根據一些實施例，顯示圖1A的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1B-1是根據一些實施例，顯示圖1B的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1C-1是根據一些實施例，顯示圖1C的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1D-1是根據一些實施例，顯示圖1D的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1E-1是根據一些實施例，顯示圖1E的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1G-1是根據一些實施例，顯示圖1G的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1H-1是根據一些實施例，顯示圖1H的芯片封裝結構的俯視圖。

圖1I-1是根據一些實施例，顯示圖1I的芯片封裝結構的俯視圖。