[發明專利]一種ETCH設備中陽極氧化部件面污染物的洗凈方法

在審

• 申請號: 202010343187.0
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111804674A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 后健華;張正偉
• 申請（專利權）人: 安徽富樂德科技發展股份有限公司
• 主分類號: B08B7/04
• 分類號: B08B7/04;B08B5/02;B08B7/00;B08B3/08;B08B3/02;B08B3/12;B08B3/10;B08B1/00;F26B21/00;B24C1/00;B24B27/033
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務所(普通合伙) 34105
• 代理人: 李坤

本發明公開了一種ETCH設備中陽極氧化部件面污染物的洗凈方法，在陽極氧化部件清洗過程中，使用干冰噴砂方式預處理表面附著物，然后再配合弱堿性試劑擦拭和物理打磨方式完成表面污染物的清潔，提高了陽極氧化件清洗再生的效率，同時減少了傳統清洗方式下過度損耗問題，延長了陽極氧化鋁部件的使用次數以及壽命。

技術領域

本發明涉及一種ETCH設備中陽極氧化部件面污染物的洗凈方法。

背景技術

半導體集成電路制造工藝技術持續快速發展，新技術的不斷涌現帶動芯片集成度迅速提高，國內市場中28um、14um、7um芯片制造技術愈加成熟，5um芯片技術也在不斷測試中。其中的等離子體刻蝕及等離子體清潔已經成為其半導體制程工藝最關鍵的流程之一。隨著進入到高制程設備，蝕刻腔體等離子功率越來越大，等離子體對刻蝕工藝腔壁的損傷帶來的粒子污染問題也越來越大，特別在芯片后段制成中，大量使用純陽極氧化部件，維持腔體內氛圍，同時大量的沉積物會附著在陽極氧化部件表面，腔室內自身的清潔能力遠遠不能滿足長時間使用后的表面清潔度。

中國專利：一種半導體8寸晶圓制程ETCH8500工藝石英屏蔽環的再生方法，申請號CN201810307016.5，所述石英屏蔽環完成浸泡后，會采用刮除件對附著于石英屏蔽環表面的 附著物進行初步刮除，刮除件為鋼絲刷或刮刀，刮除件沿石英屏蔽環外周運行，完成對石英屏蔽環外表面污漬的刮除；刮除件沿石英屏蔽環內周運行，完成對石英屏蔽環內表面污漬的刮除，該工藝雖然最終也能達到去除膜質，清潔表面污染物的目的，往往需要不停返工兩到三次打磨才能看出效果，，過度的物理打磨不但加長了清洗再生的時間，同時也會導致部件表面涂層過度損耗，減少部件的使用壽命和清洗次數。

中國專利：一種刻蝕機臺鋁陽極氧化部件再生制備工藝，申請號CN201811103116.2，所述步驟8干燥清洗中使用高壓水洗清洗，然后進行超聲波清洗，最后使用壓縮空氣吹干并在烘箱內干燥處理，該工藝比較簡單，也沒有經過打磨等清理步驟，對部件的邊角處、狹縫處、凹坑等手動不方便接觸的地方無法處理干凈。

發明內容

本發明的目的在于提供一種ETCH設備中陽極氧化部件面污染物的洗凈方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種ETCH設備中陽極氧化部件面污染物的洗凈方法，步驟如下，

步驟一、氣槍吹干部件表面，減少水汽含量，去除一部分較低結合力的污染物；

步驟二、將步驟一處理后的部件，使用干冰噴砂方式，對表面每一個區域進行噴掃去除大量附著污染物；

步驟三、靜置步驟二處理后部件，待恢復常溫，將部件置于丙酮中浸泡30min，取出吹干，將部件進入熱水浸泡；

步驟四、將步驟三處理后部件吹干，使用無塵布沾氨水雙氧水擦拭整個部件兩遍；

步驟五、取步驟四處理后部件，使用7447#菜瓜布進行打磨，至部件表面顏色均一，氣槍水掃部件后，使用無塵布沾取丙酮擦拭部件涂層表面，至無無塵布印記，即產品合格；

步驟六、超聲波震蕩清洗后，吹干加熱烘干，真空包裝。

進一步的，步驟一中，氣槍壓力控制約40Psi。

進一步的，步驟二中，干冰噴砂壓力控制在4Kg/cm2，出冰量控制0.6～0.8Kg/min。

進一步的，步驟三中，熱水浸泡溫度70℃～80℃。

進一步的，步驟四中，氨水雙氧水藥液體積比例為NH3H2O：H2O2：H2O=1:3:4，氨水為電子級純度30%，雙氧水為電子級純度30%。

進一步的，步驟六中，超聲波震蕩功率密度控制在8～12W/in2，水阻值需要大于4MΩ。