[發明專利]一種減少基坑施工對臨近樁基影響的結構及施工方法

在審

• 申請號: 202010343114.1
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111424727A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 白向臣;錢琨;王力瑋;劉習生;穆保崗;韓峰;彭宇一
• 申請（專利權）人: 中鐵上海工程局集團華海工程有限公司;無錫地鐵集團有限公司
• 主分類號: E02D31/00
• 分類號: E02D31/00
• 代理公司: 上海三方專利事務所(普通合伙) 31127
• 代理人: 吳瑋;徐成澤

1.一種減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于在待施工的基坑與臨近樁基之間設有凹槽，所述的凹槽內設有壓力水囊，壓力水囊內具有一用于填充液體的內腔，且所述的壓力水囊的表面設有一聯通至內腔的進出水閥門，所述的壓力水囊具有三層結構，由內至外依次為內層、抗拉中層和彈性外層，所述的內層由具有氣密性和水密性的材料制成。

2.如權利要求1所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于所述的內層由PVC或者TPU材料制成。

3.如權利要求1所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于所述的抗拉中層由高聚物丙烯、PET或者其他聚酯類材料制成。

4.如權利要求1所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于所述的彈性外層由橡膠材料制成。

5.如權利要求1所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于所述的凹槽的深度為所述的基坑的深度的3/4。

6.如權利要求1所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于所述的凹槽與樁基之間的距離不小于0.5米且不大于1米，且所述的凹槽的寬度在300mm以內。

7.一種采用如權利要求1所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構的施工方法，其特征在于所述的方法包括如下步驟：

步驟a. 在待施工基坑與鄰近樁基之間開挖凹槽，而后在凹槽內分段布置相互銜接的壓力水囊，并向壓力水囊內填充液體以使壓力水囊能填充滿凹槽；

步驟b. 通過對壓力水囊充放水來施加壓力或者減少壓力，用以減弱基坑施工過程中產生的土體水平位移。

8.如權利要求7所述的一種施工方法，其特征在于在所述的臨近樁基的環向外側開挖一環向凹槽，所述的環向凹槽的每側的長度均與一個壓力水囊的長度相適應，以使得在環向凹槽的每側均正好能容納一個壓力水囊。

9.如權利要求7所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于在臨近基坑近于基坑的一側開挖一近側凹槽，并在所述的近側凹槽的兩端向遠離基坑的方向開挖延伸凹槽，而后在所述的凹槽內沿凹槽的設置方向依次設有若干前后相互銜接的壓力水囊。

10.如權利要求7所述的減少基坑施工對臨近樁基影響的結構，其特征在于所述的方法還包括：

步驟c. 在基坑施工完成后，抽出壓力水囊內的液體后取出壓力水囊，然后回填凹槽以部分恢復樁周側的摩阻力。