[發(fā)明專利]一種絕緣結(jié)構(gòu)、包覆芯片周緣的絕緣件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010340570.0
• 申請日: 2020-04-26
• 公開（公告）號: CN111508902B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周揚;石浩;韓榮剛;李剛;李峰;連曉華;孔亮;劉帥;鄭鵬飛;高潔;李玉文;郝秀敏;邢永和;李榮超
• 申請（專利權(quán)）人: 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;國家電網(wǎng)有限公司;國網(wǎng)山東省電力公司;國網(wǎng)山東省電力公司威海供電公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 宋傲男

1.一種絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括層疊設(shè)置的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，其中，所述第一絕緣層、第三絕緣層的熱膨脹系數(shù)均小于所述第二絕緣層的熱膨脹系數(shù)；

所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層均由聚醚醚酮和填料形成的絕緣材料制成，所述填料包括氮化鋁納米纖維和/或氧化鋁納米纖維；

其中，分別以各層絕緣材料的質(zhì)量計，形成所述第一絕緣層和第三絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比均高于所述第二絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成所述第一絕緣層和第三絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比相較于所述第二絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比高26％-48％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，分別以各層絕緣材料的質(zhì)量計，形成所述第一絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比為30-50％，形成所述第二絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比為2-4％，形成所述第三絕緣層的絕緣材料中填料的質(zhì)量百分比為30-50％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度為0.1-0.3mm，所述第二絕緣層的厚度為0.6-0.8mm，所述第三絕緣層的厚度為1.0-1.2mm。

5.一種包覆芯片周緣的絕緣件，其特征在于，所述絕緣件具有權(quán)利要求1-4任一所述的絕緣結(jié)構(gòu)，其中，所述第一絕緣層與所述芯片的周緣相貼合。

6.權(quán)利要求5所述的包覆芯片周緣的絕緣件的制備方法，其特征在于，包括：

分別制備用于形成所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層的絕緣材料；

將所述絕緣材料采用注射成型工藝形成第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，得到所述包覆芯片周緣的絕緣件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的絕緣結(jié)構(gòu)在芯片絕緣防護(hù)中的應(yīng)用，或者權(quán)利要求5所述的包覆芯片周緣的絕緣件在芯片絕緣防護(hù)中的應(yīng)用，或者權(quán)利要求6所述的制備方法得到的包覆芯片周緣的絕緣件在芯片絕緣防護(hù)中的應(yīng)用。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于，所述芯片為絕緣柵雙極型晶體管芯片。

9.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括芯片以及包覆于所述芯片周緣的絕緣件，所述絕緣件為權(quán)利要求5所述的包覆芯片周緣的絕緣件，或者權(quán)利要求6所述的制備方法得到的包覆芯片周緣的絕緣件。