[發明專利]一種絕緣結構、包覆芯片周緣的絕緣件及其制備方法有效
| 申請號： | 202010340570.0 | 申請日： | 2020-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN111508902B | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 周揚;石浩;韓榮剛;李剛;李峰;連曉華;孔亮;劉帥;鄭鵬飛;高潔;李玉文;郝秀敏;邢永和;李榮超 | 申請（專利權）人： | 全球能源互聯網研究院有限公司;國家電網有限公司;國網山東省電力公司;國網山東省電力公司威海供電公司 |
| 主分類號： | H01L23/29 | 分類號： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 宋傲男 |
| 地址： | 102209 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 結構 芯片 周緣 及其 制備 方法 | ||
1.一種絕緣結構，其特征在于，包括層疊設置的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，其中，所述第一絕緣層、第三絕緣層的熱膨脹系數均小于所述第二絕緣層的熱膨脹系數；
所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層均由聚醚醚酮和填料形成的絕緣材料制成，所述填料包括氮化鋁納米纖維和/或氧化鋁納米纖維；
其中，分別以各層絕緣材料的質量計，形成所述第一絕緣層和第三絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比均高于所述第二絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比。
2.根據權利要求1所述的絕緣結構，其特征在于，形成所述第一絕緣層和第三絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比相較于所述第二絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比高26％-48％。
3.根據權利要求1或2所述的絕緣結構，其特征在于，分別以各層絕緣材料的質量計，形成所述第一絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比為30-50％，形成所述第二絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比為2-4％，形成所述第三絕緣層的絕緣材料中填料的質量百分比為30-50％。
4.根據權利要求1或2所述的絕緣結構，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度為0.1-0.3mm，所述第二絕緣層的厚度為0.6-0.8mm，所述第三絕緣層的厚度為1.0-1.2mm。
5.一種包覆芯片周緣的絕緣件，其特征在于，所述絕緣件具有權利要求1-4任一所述的絕緣結構，其中，所述第一絕緣層與所述芯片的周緣相貼合。
6.權利要求5所述的包覆芯片周緣的絕緣件的制備方法，其特征在于，包括：
分別制備用于形成所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層的絕緣材料；
將所述絕緣材料采用注射成型工藝形成第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，得到所述包覆芯片周緣的絕緣件。
7.根據權利要求1-4任一所述的絕緣結構在芯片絕緣防護中的應用，或者權利要求5所述的包覆芯片周緣的絕緣件在芯片絕緣防護中的應用，或者權利要求6所述的制備方法得到的包覆芯片周緣的絕緣件在芯片絕緣防護中的應用。
8.根據權利要求7所述的應用，其特征在于，所述芯片為絕緣柵雙極型晶體管芯片。
9.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括芯片以及包覆于所述芯片周緣的絕緣件，所述絕緣件為權利要求5所述的包覆芯片周緣的絕緣件，或者權利要求6所述的制備方法得到的包覆芯片周緣的絕緣件。
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