[發明專利]一種霍山米斛的生根培養基

在審

• 申請號: 202010340469.5
• 申請日: 2020-04-26
• 公開（公告）號: CN111357651A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 陳野牧;聞智磊
• 申請（專利權）人: 安徽智野生物科技發展有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務所(普通合伙) 34160
• 代理人: 楊潤

本發明公開了一種霍山米斛的生根培養基，該培養基配方組成成分如下：花多多1號10?15g/L、花多多2號5?10g/L、1/2MS培養基、糖25g/L、蛋白粉8?15g/L、土豆泥50?80g/L、蘋果汁200ml/L、NAA 5?10mg/L、6Ba 20?30mg/L、KT 10?15mg/L、2,4?D 10?15mg/L、腺嘌呤10?15mg/L、肌醇2?5g/L、檸檬酸2?5g/L、活性炭2g/L、瓊脂5?10g/L；本發明制備的霍山米斛的生根培養基對于霍山米斛芽培養生根率更高，根長更長，且植株的生長狀態更好，使得霍山米斛的品質更高；并在制備培養基的過程中使用了一種培養液制備裝置，該裝置使得培養液的裝配完全不需要人工操作，避免了因營養液過燙造成人員燙傷，在完成培養液加料后，能夠將載物板取出，并將新的載物板直接放置在支座上，進而減少錐形瓶收集擺放的時間，加快了培養液制備的工作效率。

技術領域

本發明屬于石斛培養技術領域，具體涉及一種霍山米斛的生根培養基。

背景技術

霍山米斛，是霍山石斛的簡稱，也是霍山縣特有的品種，是石斛中的極品。但因其繁殖系數低，規模化生產受到阻礙，組織培養是解決這一問題的重要途徑，但傳統的繁殖方法一般為分株繁殖，3-4年才能進行一次，繁殖速度較慢，難以滿足市場需要。

傳統的植物生根培養基在進行霍山米斛培養時，霍山米斛的生根率較低、根長較短、生長速度慢，培養出的霍山米斛芽瘦小、葉色發黃，進而影響了霍山米斛的品質，并在生根培養基的制備過程中，由于需要完全人工操作，使得培養基的制備效率大大降低，且由于培養液在制備過程中溫度較高，易造成人員燙傷。

發明內容

本發明的目的在于提供一種霍山米斛的生根培養基。

本發明要解決的技術問題：

傳統的植物生根培養基在進行霍山米斛培養時，霍山米斛的生根率較低、根長較短、生長速度慢，培養出的霍山米斛芽瘦小、葉色發黃，進而影響了霍山米斛的品質，并在生根培養基的制備過程中，由于需要完全人工操作，使得培養基的制備效率大大降低，且由于培養液在制備過程中溫度較高，易造成人員燙傷。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種霍山米斛的生根培養基，配方組成成分如下：配方組成成分如下：花多多1號10-15g/L、花多多2號5-10g/L、1/2MS培養基、糖25g/L、蛋白粉 8-15g/L、土豆泥50-80g/L、蘋果汁200ml/L、NAA 5-10mg/L、6Ba 20-30mg/L、 KT 10-15mg/L、2,4-D 10-15mg/L、腺嘌呤10-15mg/L、肌醇2-5g/L、檸檬酸2-5g/L、活性炭2g/L、瓊脂5-10g/L；

該生根培養基的制備步驟如下：

步驟S1：依照上述配方，稱取相應組分；

步驟S2：將步驟S1稱取的各組分加入培養液制備裝置中，制得初培養液，向初培養液中加入氫氧化鈉溶液，至初培養液pH值達到5.5，制得培養液，將培養液裝至錐形瓶中備用；

步驟S3：將步驟S2得到的錐形瓶中并放入滅菌鍋中，在溫度為100-110℃的條件下，進行滅菌20-30min后，冷卻至室溫制得用于誘導墨蘭根狀莖增殖的培養基。

進一步，步驟S3所述的氫氧化鈉溶液的質量分數為10-15％。