[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010339573.2 | 申請日: | 2020-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN111477108B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 閆宇;楊倩 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G09F9/30 | 分類號: | G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括
第一顯示區和連接于所述第一顯示區側邊的第二顯示區,所述第二顯示區為弧形顯示區;
所述第一顯示區具有一第一出光方向,所述第二顯示區具有第二出光方向,所述第一出光方向和所述第二出光方向平行;
還包括
基底;
第一絕緣層,設于所述基底上;
有源層,設于所述第一絕緣層上;
第二絕緣層,設于所述第一絕緣層上且覆蓋所述有源層;
第一柵極層,設于所述第二絕緣層上;
第三絕緣層,設于所述第二絕緣層上且覆蓋所述第一柵極層;
第二柵極層,設于所述第三絕緣層上;
第四絕緣層,設于所述第三絕緣層上且覆蓋所述第二柵極層;
鈍化層,設于所述第四絕緣層上;
源漏電極層,設于所述鈍化層上且與所述有源層電性連接;
平坦層,設于所述第四絕緣層上且覆蓋所述源漏電極層,所述平坦層包括設于所述第一顯示區中的第一平坦層和設于所述第二顯示區中的第二平坦層,所述第二平坦層遠離所述第一平坦層的厚度大于所述第二平坦層靠近所述第一平坦層的厚度;
第一導電層,設于所述鈍化層上且與所述源漏電極層電性連接;
像素定義層,設于所述第二平坦層上且覆蓋所述第一導電層;
像素開孔,設于所述像素定義層上且對應所述第一導電層;
像素單元,設于所述像素開孔中且連接所述第一導電層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一平坦層的厚度為H1,靠近所述第一平坦層的所述鈍化層邊緣厚度與所述第一平坦層厚度相同,遠離第一平坦層的所述第二平坦層邊緣厚度為H2,所述第二顯示區為圓弧結構,所述圓弧結構一端與所述第一顯示區邊緣重合,所述圓弧結構圓心角為θ,半徑為r,H2=H1+r(1-cosθ)。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述像素定義層遠離所述第二平坦層一側面與所述像素定義層靠近所述第二平坦層一側面平行。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述基底包括
第一聚酰亞胺層;
第一緩沖層,設于所述第一聚酰亞胺層上;
第二聚酰亞胺層,設于所述第一緩沖層上;
第二緩沖層,設于所述第一聚酰亞胺層上。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述鈍化層的材料包括聚酰亞胺材料。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,第一顯示區和連接于所述第一顯示區側邊的第二顯示區;所述第一顯示區為平面區,所述第二顯示區的制備步驟包括
提供基底;
在所述基底上制備第一絕緣層;
在所述第一絕緣層上制備有源層;
在所述第一絕緣層上制備第二絕緣層,所述第二絕緣層覆蓋所述有源層;
在所述第二絕緣層上制備第一柵極層;
在所述第二絕緣層上制備第三絕緣層,所述第三絕緣層覆蓋所述第一柵極層;
在所述第三絕緣層上制備第二柵極層;
在所述第三絕緣層上制備第四絕緣層,所述第四絕緣層覆蓋所述第二柵極層;
在所述第四絕緣層上制備一層鈍化層;
在所述鈍化層上刻蝕若干第一過孔,在所述鈍化層上制備源漏電極層,其中,
所述源漏電極層通過所述第一過孔連接所述有源層;
在所述鈍化層上制備平坦層,所述平坦層覆蓋所述源漏電極層;
在所述平坦層上對應所述源漏電極層處刻蝕第二過孔,在所述平坦層上制備第一導電層,所述第一導電層通過所述第二過孔與所述源漏電極層連接;
在所述平坦層上制備像素定義層,所述像素定義層覆蓋所述第一導電層;
在所述像素定義層對應所述第一導電層處開設像素開孔;
在所述像素開孔內制備像素單元。
7.根據權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,
通過半色調掩膜板在所述第四絕緣層制備厚度不同的平坦層,遠離所述第一顯示面板的所述平坦層厚度大于靠近所述第一顯示面板的平坦層厚度。
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