[發明專利]具有增大的感測裕度的存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010337657.2
• 申請日: 2020-04-26
• 公開（公告）號: CN112216324A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 曹溶成;羅太熙;辛埈昊;平野誠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種存儲器裝置，包括：存儲器單元陣列，其包括設置在字線與位線相交的點處的存儲器單元；第一解碼器電路，其確定位線之中的被選擇的位線和未選擇的位線；第二解碼器電路，其確定字線之中的被選擇的字線和未選擇的字線；電流補償電路，其提供電流路徑，所述電流路徑從被選擇的字線汲取補償電流以補償未選擇的位線中流動的截止電流；第一感測放大器，其將被選擇的字線的電壓與參考電壓進行比較，并輸出使能信號；以及第二感測放大器，其在存儲器裝置的讀出操作模式下在由使能信號確定的操作時間期間輸出被選擇的字線的電壓與參考電壓之間的電壓差。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年7月10日在韓國知識產權專利局提交的第10-2019-0083236號韓國專利申請的優先權，該申請的公開以引用方式全部并入本文中。

技術領域

本發明構思的示例性實施例涉及一種具有增大的感測裕度的存儲器裝置。

背景技術

使用電阻的存儲器裝置包括相變隨機存取存儲器(PRAM)、電阻式RAM(ReRAM)、磁性RAM(MRAM)等。與通過充電或放電來寫入數據的動態RAM(DRAM)不同，使用電阻的存儲器裝置可以利用電阻的變化來寫入或擦除數據。

發明內容

根據本發明構思的示例性實施例，存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，其包括分別設置在多條字線與多條位線彼此相交的點處的多個存儲器單元；第一解碼器電路，其被構造為確定多條位線之中的被選擇的位線和未選擇的位線；第二解碼器電路，其被構造為確定多條字線之中的被選擇的字線和未選擇的字線；電流補償電路，其被構造為提供電流路徑，所述電流路徑從被選擇的字線汲取補償電流以補償未選擇的位線中流動的截止電流；第一感測放大器，其被構造為將被選擇的字線的電壓與參考電壓進行比較，并輸出使能信號；以及第二感測放大器，其被構造為在存儲器裝置的讀出操作模式下在由使能信號確定的操作時間期間輸出被選擇的字線的電壓與參考電壓之間的電壓差。

根據本發明構思的示例性實施例，存儲器裝置包括：多個存儲器單元，多個存儲器單元的每一個包括開關裝置和數據存儲裝置并且被連接到多條字線和多條位線，其中數據存儲裝置連接到開關裝置并包括相變材料；解碼器電路，其被構造為確定多條字線之中的被選擇的字線和多條位線之中的被選擇的位線，其中，被選擇的字線和被選擇的位線連接到多個存儲器單元中的從其中讀出數據的被選擇的存儲器單元；電流補償電路，其被構造為補償被選擇的字線中的流經未選擇的存儲器單元而非被選擇的存儲器單元的泄漏電流；以及第一感測放大器，其連接到被選擇的字線，并包括第一輸入端子和第二輸入端子，所述第一輸入端子被構造為接收與被選擇的存儲器單元的狀態對應的感測電壓，所述第二輸入端子被構造為接收預定的參考電壓。第一感測放大器在被選擇的位線的感測部分中將被選擇的字線的電壓與預定的參考電壓進行比較，并輸出被選擇的字線的電壓與預定的參考電壓之間的比較結果。

根據本發明構思的示例性實施例，存儲器裝置包括：多個存儲器單元，其連接到多條位線和多條字線；解碼器電路，其被構造為對多條字線中的被選擇的字線進行預充電，并在感測部分中將被選擇的字線連接到電流路徑；電流補償電路，其被構造為提供電流路徑，所述電流路徑在感測部分中從被選擇的字線汲取補償電流以補償在多條位線之中的未選擇的位線而非被選擇的位線中流動的截止電流；第一感測放大器，其被構造為在感測部分中將被選擇的字線的電壓與參考電壓進行比較，并輸出使能信號；以及第二感測放大器，其被構造為響應于使能信號輸出被選擇的字線的電壓與參考電壓之間的電壓差。

附圖說明

通過參照附圖對本發明構思的示例性實施例進行詳細地描述，將更加清楚地理解本發明構思的以上和其它方面和特征。

圖1是示出了根據本發明構思的示例性實施例的存儲器裝置的框圖。

圖2是示出了根據本發明構思的示例性實施例的包括在圖1的存儲器裝置中的存儲器單元陣列的圖。