[發明專利]微納流控芯片及其制造方法、微納流控系統有效
| 申請號： | 202010335071.2 | 申請日： | 2020-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN113546698B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發明（設計）人： | 馬嘯塵;寧策;袁廣才;李正亮;谷新;郭康;周雪原 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 楊廣宇 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微納流控 芯片 及其 制造 方法 系統 | ||
1.一種微納流控芯片，其特征在于，包括：
襯底，以及位于所述襯底上的電極層和膜層；
其中，所述膜層具有第一凹槽和第二凹槽，以及用于連通所述第一凹槽和所述第二凹槽的多個微納流通道；
所述電極層包括位于所述第一凹槽內第一電極和位于所述第二凹槽內的第二電極；
所述第一電極在參考平面上的正投影與所述多個微納流通道在所述參考平面上的正投影至少部分重合，所述第二電極在所述參考平面上的正投影與所述多個微納流通道在所述參考平面上的正投影錯開，所述參考平面垂直于所述襯底；
所述第二凹槽包括：相連接的第一凹槽段和第二凹槽段，第一凹槽段用于容納所述第二電極，所述第二凹槽段與所述多個微納流通道連通，所述第二凹槽段的寬度小于所述第一凹槽段的寬度。
2.根據權利要求1所述的微納流控芯片，其特征在于，
所述第二凹槽段的延伸方向與所述微納流通道的延伸方向相交。
3.根據權利要求1所述的微納流控芯片，其特征在于，
所述膜層所帶電荷極性與需要富集的帶電物質所帶電荷極性相同。
4.根據權利要求1所述的微納流控芯片，其特征在于，
所述第一電極所加載的電壓的大小與所述第二電極所加載的電壓的大小不同。
5.根據權利要求1所述的微納流控芯片，其特征在于，
所述第一電極在所述參考平面上的正投影覆蓋所述多個微納流通道在所述參考平面上的正投影。
6.根據權利要求1至5任一所述的微納流控芯片，其特征在于，
所述微納流控芯片還包括：位于所述膜層與所述襯底之間的輔助膜層，所述輔助膜層遠離所述襯底的一側上設置有多個條狀的凸起結構，所述凸起結構的延伸方向與所述微納流通道的延伸方向相同，每個所述微納流通道在所述襯底上的正投影位于相鄰的兩個所述凸起結構在所述襯底上的正投影之間。
7.根據權利要求1至5任一所述的微納流控芯片，其特征在于，
所述微納流控芯片還包括：位于所述膜層上的蓋板，所述蓋板具有與所述第一凹槽連通的第一開口，以及與所述第二凹槽連通的第二開口。
8.一種微納流控芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底上形成電極層和膜層；
其中，所述膜層具有第一凹槽和第二凹槽，以及用于連通所述第一凹槽和所述第二凹槽的多個微納流通道；
所述電極層包括位于所述第一凹槽內第一電極和位于所述第二凹槽內的第二電極；
所述第一電極在參考平面上的正投影與所述多個微納流通道在所述參考平面上的正投影至少部分重合，所述第二電極在所述參考平面上的正投影與所述多個微納流通道在所述參考平面上的正投影錯開，所述參考平面垂直于所述襯底；
所述第二凹槽包括：相連接的第一凹槽段和第二凹槽段，第一凹槽段用于容納所述第二電極，所述第二凹槽段與所述多個微納流通道連通，所述第二凹槽段的寬度小于所述第一凹槽段的寬度。
9.一種微納流控系統，其特征在于，包括：權利要求1至7任一所述的微納流控芯片。
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