[發(fā)明專利]MEMS驅動器件及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010335036.0
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN113548636A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設計）人: 張兆林;許繼輝;劉國安;辛淼
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一襯底和第二襯底，所述第一襯底上形成有第一導電材料層，并圖形化所述第一導電材料層以形成固定梳齒結構，并在所述第一導電材料層中還形成有空腔，所述第二襯底上依次形成有第二絕緣層和第二導電材料層；

以所述第二襯底的第二導電材料層面向所述第一襯底的第一導電材料層的方向，鍵合所述第二襯底和所述第一襯底；

研磨所述第二襯底以部分去除所述第二襯底的襯底材料，再利用刻蝕工藝去除剩余的第二襯底并刻蝕停止于所述第二絕緣層上，以及去除所述第二絕緣層以暴露出所述第二導電材料層；以及，

圖形化所述第二導電材料層以形成可動梳齒結構，所述可動梳齒結構對應在所述固定梳齒結構的上方。

2.如權利要求1所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，利用刻蝕工藝去除剩余的第二襯底的方法包括：利用等離子刻蝕工藝刻蝕剩余的第二襯底。

3.如權利要求2所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，利用所述等離子刻蝕工藝刻蝕剩余的第二襯底以暴露出所述第二絕緣層后，所述等離子刻蝕工藝還刻蝕部分所述第二絕緣層。

4.如權利要求3所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，所述等離子刻蝕工藝刻蝕部分所述第二絕緣層后，利用濕法刻蝕工藝去除剩余的第二絕緣層。

5.如權利要求1所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度為0.5μm～1μm。

6.如權利要求1所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，圖形化所述第一導電材料層的方法包括：

在所述第一導電材料層上形成第一掩模層；以及，

以所述第一掩模層為掩模刻蝕所述第一導電材料層，以形成所述固定梳齒結構。

7.如權利要求6所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，鍵合所述第二襯底和所述第一襯底時，所述第二襯底的第二導電材料層鍵合在所述第一掩模層上。

8.如權利要求6所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，圖形化所述第二導電材料層以形成所述可動梳齒結構的方法包括：刻蝕所述第二導電材料層，并刻蝕停止于所述第一掩模層上。

9.如權利要求8所述的MEMS驅動器件的形成方法，其特征在于，在圖形化所述第二導電材料層之后，還包括：

至少去除所述第一掩模層中位于所述固定梳齒結構和所述可動梳齒結構之間的部分，以使所述固定梳齒結構和所述可動梳齒結構之間間隔有空隙。

10.一種采用如權利要求1-9任一項所述的形成方法制備的MEMS驅動器件，其特征在于，包括：

襯底；

第一導電材料層，形成在所述襯底上，以及所述第一導電材料層中形成有固定梳齒結構，并在所述第一導電材料層中還形成有空腔；

第二導電材料層，形成在所述第一導電材料層的上方，以及所述第二導電材料層中形成有可動梳齒結構，所述可動梳齒結構對應在所述固定梳齒結構的上方。