[發(fā)明專(zhuān)利]康普頓散射事例恢復(fù)方法、PET系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010331566.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111505699B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂新宇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海聯(lián)影醫(yī)療科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01T1/29 | 分類(lèi)號(hào): | G01T1/29;G01T1/202;G01T1/208 |
| 代理公司: | 杭州華進(jìn)聯(lián)浙知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33250 | 代理人: | 龍偉 |
| 地址: | 201807 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 康普頓 散射 事例 恢復(fù) 方法 pet 系統(tǒng) 計(jì)算機(jī) 可讀 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
本申請(qǐng)涉及一種康普頓散射事例恢復(fù)方法、PET系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。其中,該方法包括:獲取第一光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值,以及光電傳感器陣列?閃爍晶體響應(yīng)矩陣;根據(jù)光電傳感器陣列?晶體響應(yīng)矩陣,確定與第一光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值對(duì)應(yīng)的、探測(cè)到光電效應(yīng)事件的第一閃爍晶體的位置;根據(jù)第一閃爍晶體的位置和第一光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值,確定康普頓散射事例的第一作用點(diǎn)。通過(guò)本申請(qǐng),以解決了相關(guān)技術(shù)中康普頓散射事例恢復(fù)精度低的問(wèn)題,提高了康普頓散射事例恢復(fù)的精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及成像設(shè)備領(lǐng)域,特別是涉及康普頓散射事例恢復(fù)方法、PET系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)
PET是當(dāng)今核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域發(fā)展最快一項(xiàng)成像技術(shù),在臨床檢測(cè)中得到廣泛的應(yīng)用。
在PET系統(tǒng)中,正負(fù)電子湮滅產(chǎn)生的背靠背的511keV單能光子,與兩端的探測(cè)器分別發(fā)生作用而被探測(cè)到。探測(cè)器一般使用閃爍晶體做光轉(zhuǎn)換材料,511keV的伽馬(gamma)光子與晶體發(fā)生兩種響應(yīng)事件:一種是光電效應(yīng)事件,gamma光子通過(guò)一次碰撞,能量完全沉積下來(lái),釋放出大量的熒光子;另一種是康普頓散射效應(yīng)事件,gamma光子與晶體原子的外層電子,發(fā)生多次碰撞,能量不斷減小,方向不斷改變,最終沉積部分能量或全部能量。這些發(fā)生散射的gamma光子,如果不做鑒別或恢復(fù),會(huì)損失靈敏度,或者位置判斷錯(cuò)誤,能量精度下降。
圖1a是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的gamma光子在閃爍晶體內(nèi)發(fā)生光電效應(yīng)事件的示意圖,如圖1a所示,gamma光子10在閃爍晶體11內(nèi)只發(fā)生了一次響應(yīng)事件,即單次光電效應(yīng)事件,能量完全沉積。圖1b是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的gamma光子在一個(gè)block內(nèi)發(fā)生散射效應(yīng)事件的示意圖,如圖1b所示,gamma光子在第一個(gè)閃爍晶體內(nèi)能量沒(méi)有完全沉積,如果不做恢復(fù),將第二個(gè)閃爍晶體作為作用位置將會(huì)造成位置計(jì)算錯(cuò)誤。圖1c是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的gamma光子在相鄰block發(fā)生散射效應(yīng)事件的示意圖,如圖1c所示,gamma光子在一個(gè)block的閃爍晶體內(nèi)能量沒(méi)有完全沉積,如果不做恢復(fù),會(huì)造成靈敏度損失,或能量信息錯(cuò)誤。
目前通常散射事例恢復(fù)方法是,在一個(gè)給定的時(shí)間窗口(如1ns)內(nèi),如果發(fā)生大于等于2次響應(yīng)事件,以發(fā)生了2個(gè)為例,能量分別為EA,EB,時(shí)間分別是TA,TB。分兩種情況做處理:第一種情況,如果min(EA,EB)70keV,則認(rèn)為發(fā)生作用的位置(稱(chēng)作第一作用點(diǎn)FI)是能量較大的那個(gè)晶體;第二種情況,如果min(EA,EB)≥70keV,則認(rèn)為第一作用點(diǎn)是能量較小的那個(gè)晶體。判斷出FI晶體后,將EA+EB的總能量作為本次光電效應(yīng)事件的總能量。散射恢復(fù)后的時(shí)間根據(jù)TA,TB計(jì)算。但是,這種方法簡(jiǎn)單粗略,精度不高。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種康普頓散射事例恢復(fù)方法、PET系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),以至少解決相關(guān)技術(shù)中康普頓散射事例恢復(fù)精度低的問(wèn)題。
第一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種康普頓散射事例恢復(fù)方法,包括:
獲取第一光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值,以及光電傳感器陣列-閃爍晶體響應(yīng)矩陣,其中,所述光電傳感器陣列-閃爍晶體響應(yīng)矩陣用于表示在一個(gè)康普頓散射事例中光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值與探測(cè)到光電效應(yīng)事件的閃爍晶體的位置及沉積能量之間的映射關(guān)系;
根據(jù)所述光電傳感器陣列-晶體響應(yīng)矩陣,確定與所述第一光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值對(duì)應(yīng)的、探測(cè)到光電效應(yīng)事件的第一閃爍晶體的位置;
根據(jù)所述第一閃爍晶體的位置和所述第一光電傳感器陣列探測(cè)到的能量值,確定康普頓散射事例的第一作用點(diǎn)。
在其中一些實(shí)施例中,所述光電傳感器陣列-閃爍晶體響應(yīng)矩陣是訓(xùn)練而來(lái)的,其訓(xùn)練過(guò)程包括:
獲取全部光電傳感器陣列探測(cè)到的所有康普頓散射事例的能量值組成的初始解碼圖,并使用閃爍晶體的能量窗對(duì)所述初始解碼圖進(jìn)行能量過(guò)濾,得到過(guò)濾后的解碼圖,以及將所述過(guò)濾后的解碼圖使用Anger蒙版過(guò)濾,得到符合所述Anger蒙版的解碼圖;
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