[發(fā)明專利]圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010330625.X
• 申請(qǐng)日: 2020-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN113555376A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙立新;張浩然;付文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

浮置擴(kuò)散區(qū)；

與所述浮置擴(kuò)散區(qū)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)傳輸晶體管；

位于所述浮置擴(kuò)散區(qū)與所述傳輸晶體管之間的多晶硅結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)包圍所述浮置擴(kuò)散區(qū)，以實(shí)現(xiàn)浮置擴(kuò)散區(qū)注入工藝與接觸孔刻蝕工藝的自對(duì)準(zhǔn)。

3.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳輸晶體管和所述多晶硅結(jié)構(gòu)同時(shí)施加電壓，以提高浮置擴(kuò)散區(qū)的電位，增強(qiáng)傳導(dǎo)性能。

4.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述傳輸晶體管加低壓的積分狀態(tài)下，所述多晶硅結(jié)構(gòu)下方的載流子傳輸通道處于耗盡狀態(tài)，以減少浮置擴(kuò)散區(qū)的電容。

5.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)存在間斷區(qū)域，以優(yōu)化所述圖像傳感器的傳導(dǎo)性能。

6.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)的最小線寬小于該像素結(jié)構(gòu)中其他由多晶硅形成的結(jié)構(gòu)的最小線寬。

7.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)與所述傳輸晶體管之間的間距小于由多晶硅形成的結(jié)構(gòu)之間的間距的預(yù)設(shè)值。

8.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)上施加有駐留電荷或電壓，以控制所述多晶硅結(jié)構(gòu)下方的載流子傳輸通道的導(dǎo)通。

9.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳輸晶體管與所述多晶硅結(jié)構(gòu)之間存在分布電容耦合：隨著浮置擴(kuò)散區(qū)和傳輸晶體管的電壓上升，多晶硅結(jié)構(gòu)的電壓上升，導(dǎo)通增強(qiáng)；隨著浮置擴(kuò)散區(qū)和傳輸晶體管的電壓下降，多晶硅結(jié)構(gòu)的電壓下降，導(dǎo)通減弱。

10.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)上施加有可變電壓，形成傳輸晶體管的雙柵結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙柵結(jié)構(gòu)的內(nèi)柵是連通的并通過同一信號(hào)來控制導(dǎo)通。

12.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)與所述傳輸晶體管具有一體的絕緣側(cè)壁。