[發(fā)明專利]一種小外徑彎曲不敏感單模光纖有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010330398.0 | 申請日： | 2020-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN111399113B | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊柳波;張磊;李鵬;沈磊;吳超;黃利偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 長飛光纖光纜股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/036 | 分類號： | G02B6/036;G02B6/028;G02B6/02;C03B37/027;C03B37/018;C03B37/014 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 外徑 彎曲 敏感 單模 光纖 | ||
1.一種小外徑彎曲不敏感單模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于所述芯層直徑2R1為7.4～7.8μm，相對折射率差為Δ1，所述的包層從內(nèi)到外依次為下陷內(nèi)包層和外包層，所述下陷內(nèi)包層直徑2R2為34～40μm，所述下陷內(nèi)包層折射率分布呈下凹形，其最小相對折射率差為Δ2min，所述芯層與內(nèi)包層之間的折射率差異Δtotal＝Δ1-Δ2min，Δtotal范圍為0.44～0.52％，且芯層與下陷內(nèi)包層相對折射率差分配關(guān)系滿足：︱Δ1/Δ2min︱＝4.5～6.5，所述外包層為純二氧化硅外包層，外包層相對折射率差Δ3為0％，外包層直徑2R3為123～125μm，所述的外包層外包覆內(nèi)、外涂覆層，所述內(nèi)涂覆層直徑2R4為163～170μm，所述外涂覆層直徑2R5為190～195μm；所述的下陷內(nèi)包層內(nèi)邊緣與外邊緣的相對折射率差齊平并與外包層相對折射率差Δ3相等，從內(nèi)邊緣至外邊緣相對折射率差呈漸降至漸升狀。
2.按權(quán)利要求1所述的小外徑彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的Δtotal范圍為0.45～0.50％，︱Δ1/Δ2min︱范圍為5.0～6.0。
3.按權(quán)利要求1或2所述的小外徑彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的內(nèi)、外涂覆層為樹脂涂覆層，所述的內(nèi)涂覆層楊氏模量小于或等于1MPa，固化度90～95％，所述的外涂覆層楊氏模量大于或等于1000MPa，固化度95～99％。
4.按權(quán)利要求1或2所述的小外徑彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的光纖在1310nm處的模場直徑為8.4～9.0μm，光纜截止波長小于或等于1260nm，零色散波長1300～1324nm。
5.按權(quán)利要求1或2所述的小外徑彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處，圍繞15mm彎曲半徑繞10圈的彎曲附加損耗小于或等于0.02dB，圍繞10mm彎曲半徑繞1圈的彎曲附加損耗小于或等于0.06dB，圍繞7.5mm彎曲半徑繞1圈的彎曲附加損耗小于或等于0.3dB。
6.按權(quán)利要求1或2所述的小外徑彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述光纖在1625nm波長處，圍繞15mm彎曲半徑繞10圈的彎曲附加損耗小于或等于0.06dB，圍繞10mm彎曲半徑繞1圈的彎曲附加損耗小于或等于0.12dB，圍繞7.5mm彎曲半徑繞1圈的彎曲附加損耗小于或等于0.6dB。
7.按權(quán)利要求1或2所述的小外徑彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述光纖在1700nm波長處微彎小于或等于2dB/km。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于長飛光纖光纜股份有限公司，未經(jīng)長飛光纖光纜股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010330398.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
