[發明專利]基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置及方法

在審

• 申請號: 202010330244.1
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN111378951A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 朱建明
• 申請（專利權）人: 肇慶市科潤真空設備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/54
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 謝靜娜

1.基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，包括直線式連接的多個真空室，位于兩端的兩個真空室分別為放卷室和收卷室，放卷室和收卷室之間至少設有一個磁控濺射鍍膜室和至少一個電子槍蒸發鍍膜室；當磁控濺射鍍膜室和/或電子槍蒸發鍍膜室有多個時，磁控濺射鍍膜室和電子槍蒸發鍍膜室交替設置。

2.根據權利要求1所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜室中設有水冷鍍膜輥，水冷鍍膜輥的兩側分別設有室內隔板，各室內隔板的一側固定于磁控濺射鍍膜室的內壁上，各室內隔板的另一側與水冷鍍膜輥之間留有基材通道；室內隔板將磁控濺射鍍膜室內的空間間隔成上室和下室，上室內分布有多個導向輥，下室內沿水冷鍍膜輥的外周分布有多個磁控濺射靶。

3.根據權利要求2所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射靶為磁控濺射中頻靶。

4.根據權利要求1所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述電子槍蒸發鍍膜室的底部設有循環式電子槍蒸發裝置；

循環式電子槍蒸發裝置包括旋轉坩堝、第一電子槍、第二電子槍和自動送料裝置，旋轉坩堝底部設有旋轉驅動機構，旋轉坩堝的頂面帶有環形的蒸發腔，蒸發腔沿圓周方向均勻分布有蒸發工位、加料工位和預熔工位，蒸發工位對應設置第一電子槍，加料工位對應設置自動送料裝置，預熔工位對應設置第二電子槍。

5.根據權利要求4所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述第一電子槍的功率大于第二電子槍。

6.根據權利要求4所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述蒸發工位上方形成輻射狀的蒸發鍍膜區域，蒸發鍍膜區域的兩側還分別設有沿水平方向設置的修正擋板。

7.根據權利要求4所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述自動送料裝置包括料斗、送料輪和輸送管道，送料輪的圓柱面上分布有若干內凹狀的料槽，送料輪下部的料槽位于料斗內，輸送管道的入口端與送料輪的圓柱面相接，輸送管道的出口端位于加料工位上方。

8.根據權利要求1所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜裝置，其特征在于，所述放卷室的出口處和收卷室的入口處分別設有真空鎖；放卷室的出口處，基材的一側還設有線性離子源；收卷室的入口處，基材的一側也設有線性離子源。

9.基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜方法，其特征在于，鍍氧化硅光學膜時為：放卷室內放出基材后，先進入磁控濺射鍍膜室進行磁控濺射鍍膜處理，在基材表面形成初級氧化硅膜層；然后進入電子槍蒸發鍍膜室進行電子槍蒸發鍍膜處理，形成二級氧化硅膜層；完成鍍膜后的基材進入收卷室進行收卷；當磁控濺射鍍膜室和/或電子槍蒸發鍍膜室有多個時，對基材交替進行磁控濺射鍍膜處理和電子槍蒸發鍍膜處理；

鍍氧化硅/氧化鈦光學膜時為：卷室內放出基材后，先進入磁控濺射鍍膜室進行磁控濺射鍍膜處理，在基材表面形成初級氧化硅膜層；然后進入電子槍蒸發鍍膜室進行電子槍蒸發鍍膜處理，形成二級氧化硅膜層；再進入下一個磁控濺射鍍膜室進行磁控濺射鍍膜處理，在清除二級氧化硅膜層表面附著力較弱的氧化硅的同時，形成初級氧化鈦膜層；接著進入下一個電子槍蒸發鍍膜室進行電子槍蒸發鍍膜處理，形成二級氧化鈦膜層；完成鍍膜后的基材進入收卷室進行收卷；當磁控濺射鍍膜室和/或電子槍蒸發鍍膜室有多個時，對基材交替進行磁控濺射鍍膜處理和電子槍蒸發鍍膜處理。

10.根據權利要求9所述基于磁控濺射和電子槍蒸發的卷繞式光學鍍膜方法，其特征在于，在電子槍蒸發鍍膜室內，通過循環式電子槍蒸發裝置對基材進行電子槍蒸發鍍膜處理；循環式電子槍蒸發裝置的旋轉坩堝上分布有蒸發工位、加料工位和預熔工位；

在蒸發工位上，通過第一電子槍對帶有初級氧化硅膜層或初級氧化鈦膜層的基材表面進行清理和蒸發鍍膜處理；完成蒸發鍍膜后，蒸發工位上的蒸發鍍料表面形成內凹狀；然后旋轉坩堝旋轉，蒸發工位上的蒸發鍍料轉入加料工位，在內凹狀的蒸發鍍料表面添加新的蒸發鍍料；完成后轉入預熔工位，通過第二電子槍對預熔工位上的蒸發鍍料進行加熱熔融處理，使蒸發鍍料表面平整；完成后送入蒸發工位，循環使用。