[發(fā)明專利]電子裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010327019.2
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN111863880A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 李濟鎬;金宰賢;尹大相;鄭素娟
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;劉燦強

1.一種電子裝置，所述電子裝置包括：

基體基底，包括孔區(qū)域、包圍所述孔區(qū)域的顯示區(qū)域和與所述顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域，所述孔區(qū)域包括凹進區(qū)域，所述基體基底的至少一部分在所述凹進區(qū)域處凹進；

電路器件層，包括晶體管和多個絕緣層，所述多個絕緣層中的每個具有與所述凹進區(qū)域疊置的開口，所述電路器件層位于所述基體基底上；

顯示元件層，位于所述電路器件層上，所述顯示元件層包括有機發(fā)光元件和封裝層，所述有機發(fā)光元件包括連接到所述晶體管的第一電極、與所述第一電極相對的第二電極、位于所述顯示區(qū)域中的發(fā)光圖案以及位于所述第一電極與所述第二電極之間并且與所述顯示區(qū)域和所述孔區(qū)域疊置的電荷控制層，所述封裝層位于所述有機發(fā)光元件上，所述封裝層包括第一無機封裝層、第二無機封裝層和位于所述第一無機封裝層與所述第二無機封裝層之間的有機封裝層；

保護無機層，位于所述孔區(qū)域中，并且位于所述多個絕緣層與所述第一無機封裝層之間；以及

模塊孔，與所述孔區(qū)域疊置并且與所述凹進區(qū)域間隔開，所述模塊孔穿透所述基體基底、所述多個絕緣層中的至少一部分、所述保護無機層、第一圖案、所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層中的每個，

其中，所述電荷控制層包括與所述發(fā)光圖案、所述第一圖案和第二圖案疊置的有機圖案，所述第一圖案設置在所述多個絕緣層中的與所述孔區(qū)域疊置的一個上，所述第二圖案與所述第一圖案間隔開并且設置在所述凹進區(qū)域中，并且

所述保護無機層覆蓋所述第一圖案和所述第二圖案。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，所述保護無機層被所述第一無機封裝層覆蓋。

3.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層包括彼此不同的材料，并且

所述保護無機層包括與所述第二無機封裝層的材料相同的材料。

4.根據權利要求3所述的電子裝置，其中，所述保護無機層包括氮化硅，并且

所述第一無機封裝層包括氮氧化硅。

5.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，所述保護無機層與所述第一無機封裝層相比具有相對低的氧化速率。

6.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，當在平面圖中觀察時，所述保護無機層不與所述顯示區(qū)域疊置，并且與所述發(fā)光圖案間隔開。

7.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，所述第二圖案暴露所述凹進區(qū)域的至少一部分，并且

所述保護無機層覆蓋所述凹進區(qū)域的被所述第二圖案暴露的所述至少一部分。

8.根據權利要求1所述的電子裝置，所述電子裝置還包括第一凹槽，所述第一凹槽通過用所述保護無機層、所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層覆蓋每個所述開口的內表面和所述凹進區(qū)域的內表面而形成。

9.根據權利要求8所述的電子裝置，所述電子裝置還包括第二凹槽，所述第二凹槽與所述模塊孔間隔開，所述第一凹槽插置在所述第二凹槽與所述模塊孔之間，所述第二凹槽通過使所述基體基底的一部分從所述多個絕緣層中的至少一個的頂表面凹進而形成，并且被所述保護無機層和所述第一無機封裝層覆蓋，

其中，所述第二凹槽具有填充有所述有機封裝層的內部空間。

10.根據權利要求9所述的電子裝置，所述電子裝置還包括壩部分，所述壩部分設置在所述第一凹槽與所述模塊孔之間的區(qū)域和所述第一凹槽與所述第二凹槽之間的區(qū)域中的至少一個中，

其中，所述壩部分包括與所述多個絕緣層中的一個的材料相同的材料。