[發明專利]一種支持塊擦除的數字冗余電路及其操作方法

在審

• 申請號: 202010326525.X
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN111564174A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 劉芳芳;高璐
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發明提供一種支持塊擦除的數字冗余電路及其操作方法，存儲器、存儲器中的多個塊；每個塊中包含多個行，多個行中包含一部分壞行；每個行對應一個該存儲器工作時的當前地址；其中每個壞行還對應一個壞行地址和用于替換該壞行的冗余行；每個冗余行對應一個冗余地址；每個壞行對應的壞行地址和其當前地址共同連接一個多路復用器的輸入端；每個多路復用器的輸出端連接一個空地址。本發明的所述支持塊擦除的數字冗余電路及其操作方法，在進行塊操作時，當同一塊中的兩個壞行地址被選中的情況下，能夠將被選中的兩個壞行地址同時替換，從而實現塊操作。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種支持塊擦除的數字冗余電路及其操作方法。

背景技術

隨著對產品收益率的要求越來越高，能大幅降低出廠失效率的存儲器冗余替換模塊設計必不可少，為了提高擦除效率，塊擦除應用于存儲器中，如圖所示，圖1顯示為傳統冗余模塊示意圖，總行數為112pages(行)，分為7sector(塊)，一般的冗余替換模塊僅支持page(行)操作，當進行塊操作時，存儲器的其中兩個損壞的page地址A1、A2同時被選中，但當前地址只能是其中的一個，冗余地址也只能替換其中一個壞行地址，同一塊中的兩個壞行地址不能同時被替換，塊操作沒有實現。

因此，需要提出一種新的數字冗余電路來解決上述問題。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種支持塊擦除的數字冗余電路加操作方法，用于解決現有技術中進行塊操作時，同一塊中的兩個損壞的行地址不能同時被替換，從而造成塊操作難以實現的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種支持塊擦除的數字冗余電路，至少包括：存儲器、所述存儲器中的多個塊；所述每個塊中包含多個行，所述多個行中包含一部分壞行；所述每個行對應一個該存儲器工作時的當前地址；其中每個所述壞行還對應一個壞行地址和用于替換該壞行的冗余行；所述每個冗余行對應一個冗余地址；

所述每個壞行對應的所述壞行地址和其當前地址共同連接一個多路復用器的輸入端；每個所述多路復用器的輸出端連接一個空地址。

優選地，所述存儲器包含兩個塊。

優選地，所述每個塊中包含兩個壞行。

本發明還提供所述支持塊擦除的數字冗余電路的操作方法，該操作方法為行操作，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、對所述存儲器選中其中一個所述行對應的當前地址；

步驟二、將所述當前地址與所述行為壞行時對應的壞行地址通過所述多路復用器進行比較；

步驟三、若所述壞行對應的壞行地址與其當前地址相同，由該壞行對應的冗余行的冗余地址替換所述壞行地址；若所述壞行對應的壞行地址與其當前地址不同，則該壞行對應的壞行地址有效。

優選地，步驟二中所述多路復用器的輸出端連接的空地址等效于步驟三中的冗余地址。

本發明還提供所述支持塊擦除的數字冗余電路的操作方法，該操作方法為塊操作，該方法至少包括以下步驟：

步驟a、選中一個所述塊中的其中一個所述當前地址，所述同一個塊中的至少兩個所述壞行各自對應的壞行地址被選中；

步驟b、被選中的所述壞行地址與所述當前地址通過所述多路復用器進行比較；

步驟c、被選中的所述壞行對應的壞行地址與其當前地址通過多路復用器輸出端連接的空地址也選中，同時被選中的所述壞行對應的壞行地址的冗余地址被選中；

步驟d、由被選中的所述壞行對應的冗余地址替換其對應的壞行地址。

優選地，步驟a中被選中的所述塊中包含兩個當前地址。