[發明專利]用于熔接和剝離的低密度硅氧化物的方法和結構

有效

• 申請號: 202010326105.1
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN111863704B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 今井清隆;相澤寬和;前田寬;前川薰;三村裕司;末永治信
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種用于處理第一基底和第二基底的方法，包括：

處理所述第一基底的第一面；

在所述第一基底的第一面或所述第二基底的第一面中的至少一個上設置氧化物表面層；

翻轉所述第一基底使得第一基底的第一面面對所述第二基底的第一面而所述第一基底的第二面被露出，以及熔接所述第一基底的第一面和所述第二基底的第一面；

在所述熔接之后處理所述第一基底的第二面；以及

在處理所述第一基底的第二面之后，通過使用氧化物蝕刻劑來使所述第一基底與所述第二基底脫開。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氧化物表面層包括密度為2g/cm³或更低的硅氧化物。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述氧化物蝕刻劑包括氫氟酸。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述氧化物蝕刻劑包括稀氫氟酸。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一基底的第一面具有第一氧化物表面層，以及所述第二基底的第一面具有第二氧化物表面層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一氧化物表面層包括密度為2g/cm³的硅氧化物，以及所述第二氧化物表面層包括密度為2g/cm³的硅氧化物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述熔接在所述第一基底的第一面與所述第二基底的第一面之間形成Si-O-Si鍵。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述氧化物蝕刻劑包括濕的氧化物蝕刻劑。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述氧化物蝕刻劑包括氫氟酸。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氧化物蝕刻劑包括濕的氧化物蝕刻劑。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述熔接在所述第一基底的第一面與所述第二基底的第一面之間形成Si-O-Si鍵。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述氧化物蝕刻劑包括氫氟酸。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述第一基底的第二面的處理使所述第一基底減薄。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述第一基底的第二面的處理包括邊緣修整、磨削和/或化學機械平坦化中的至少一者。

15.根據權利要求14的方法，其中，所述氧化物表面層包括包含硅和氧的材料以及具有2g/cm³或更低的密度。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第一基底的第一面為正面而第二面為背面，以及其中，所述氧化物表面層是密度為2g/cm³或更低的硅氧化物以及所述表面層的厚度為10μm或更小，以及

其中，所述硅氧化物設置在所述第一基底的正面以及所述第二基底的第一面二者之上。

17.一種處理基底的方法，包括：

提供具有正面和背面的第一基底，所述正面在其上具有一個或更多個半導體處理層；

提供第二基底，所述第二基底具有待接合到所述第一基底的一面；

在所述第一基底或所述第二基底中的至少一者上提供接合層，所述接合層由密度為2g/cm³或更低的包含硅和氧的材料形成；

使用所述接合層將所述第一基底的所述正面熔接至所述第二基底的所述一面；

處理所述第一基底的所述背面；和

使所述第一基底的所述正面相對所述第二基底的所述一面脫開。