[發明專利]靜態隨機存取存儲器

有效

• 申請號: 202010325812.9
• 申請日: 2015-06-09
• 公開（公告）號: CN111524889B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 黃俊憲;郭有策;王淑如;洪裕祥;傅思逸;許智凱;鄭志祥
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H10B10/00
• 分類號: H10B10/00;H01L27/02;H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種靜態隨機存取存儲器，其特征在于，該靜態隨機存取存儲器包含：

多個靜態隨機存取存儲器單元設于基底上，其中各該靜態隨機存取存儲器單元包含：

至少一柵極結構，設于該基底上；

多個鰭狀結構，位于該基底上，其中各該鰭狀結構的排列方向垂直于該柵極結構的排列方向；

第一層間介電層，環繞該柵極結構；

第一接觸插塞以及第二接觸插塞，設于該第一層間介電層中，其中該第一接觸插塞為長條形，且同時接觸兩個該鰭狀結構，該第一接觸插塞接觸該第二接觸插塞；以及

第二層間介電層，設于該第一層間介電層上。

2.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其中各該靜態隨機存取存儲器單元包含第一上拉晶體管、第二上拉晶體管、第一下拉晶體管、第二下拉晶體管、第一存取晶體管以及第二存取晶體管。

3.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第一接觸插塞電連接該第一上拉晶體管的漏極，該第一下拉晶體管的漏極，以及該第一存取晶體管的漏極。

4.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第一接觸插塞電連接該第二上拉晶體管的漏極，該第二下拉晶體管的漏極，以及該第二存取晶體管的漏極。

5.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第二接觸插塞電連接該第二上拉晶體管的漏極以及該第一上拉晶體管的柵極，或該第二接觸插塞電連接該第一上拉晶體管的漏極以及該第二上拉晶體管的柵極。

6.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第二接觸插塞與該第一接觸插塞為一體成型結構。

7.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第二接觸插塞的延伸方向與各該鰭狀結構的排列方向平行。

8.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，還包含至少兩字符線，分別電連接該第一存取晶體管的柵極以及該第二存取晶體管的柵極。

9.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，還包含至少兩位線，分別電連接該第一存取晶體管的源極以及該第二存取晶體管的源極。

10.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其中還包含至少兩電壓源，分別電連接該第一下拉晶體管的源極以及電連接該第二下拉晶體管的源極。

11.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器，其中還包含至少兩電壓源，分別電連接該第一上拉晶體管的源極以及電連接該第二上拉晶體管的源極。

12.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，還包含停止層，設于該第一層間介電層及該第二層間介電層之間。

13.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第一接觸插塞的延伸方向垂直于該鰭狀結構的排列方向。

14.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第一接觸插塞與該第二接觸插塞包含相同材質。

15.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第一接觸插塞與該第二接觸插塞都包含阻障層以及低阻抗金屬層。

16.如權利要求15所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第一接觸插塞具有面對所述基底的第一底面、靠近該第二接觸插塞的第一側面和遠離該第二接觸插塞的第三側面，該阻障層接觸該第一接觸插塞的該第一底面與該第一側面。

17.如權利要求16所述的靜態隨機存取存儲器，其中該第二接觸插塞具有面對所述基底的第二底面和遠離該第一接觸插塞的第二側面，該阻障層接觸該第二接觸插塞的該第二底面與該第二側面，且該第一底面比該第二底面更靠近該基底。

18.如權利要求16所述的靜態隨機存取存儲器，其中該阻障層不位于該第一接觸插塞的該第三側面。