[發(fā)明專利]一種具有全向輻射能力的相對論磁控管輸出結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010325721.5
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN111524770B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設計）人: 李浩;羅鳴;汪海洋;胡標;李天明;何超雄
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01J23/48
• 分類號: H01J23/48;H01J25/55
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 鄧黎

1.一種具有全向輻射能力的相對論磁控管衍射輸出結構，包括第一過渡段(2)、帶脊同軸波導(3)、第二過渡段(4)、輻射結構(5)；該輸出結構的輸入端與相對論磁控管(1)的輸出端相連；

所述相對論磁控管(1)為旭日形相對論磁控管，包含陽極外殼(11)、陽極葉片(12)，所述陽極葉片(12)將陽極外殼(11)內(nèi)的腔體分隔為交錯分布的大諧振腔與小諧振腔，每個諧振腔的角向尺寸一致；

所述帶脊同軸波導(3)包括柱狀同軸內(nèi)導體(31)、同軸內(nèi)脊(32)和同軸波導壁(33)；所述同軸內(nèi)導體(31)伸入第一過渡段(2)的前端倒圓角，同軸內(nèi)脊(32)與其隔出的相同尺寸的扇形腔體在角向呈均勻分布；

所述第一過渡段(2)包括徑向擴張的第一波導壁(21)和徑向擴大的第一過渡脊(22)；所述第一波導壁(21)將陽極外殼(11)線性過渡到同軸波導壁(33)，所述第一過渡脊(22)將陽極葉片(12)線性過渡到同軸內(nèi)脊(32)；

所述第二過渡段(4)包括徑向擴大的過渡內(nèi)導體(41)、角向縮小且徑向擴大的第二過渡脊(42)以及角向擴張的第二波導壁(43)；所述過渡內(nèi)導體(41)將同軸內(nèi)導體(31)線性過渡到輻射結構內(nèi)導體(51)，第二過渡脊(42)將同軸內(nèi)脊(32)線性過渡到輻射結構內(nèi)脊(52)，第二波導壁(43)將同軸波導壁(33)線性過渡到輻射結構波導壁(54)；

所述輻射結構(5)包括輻射結構內(nèi)導體(51)、輻射結構內(nèi)脊(52)、縫隙陣(53)以及輻射結構波導壁(54)；所述輻射結構內(nèi)脊在角向呈均勻分布，且輻射結構內(nèi)脊挖空有梯形凹槽，梯形凹槽與外部空間連通并將輻射結構波導壁(54)等間距分隔為若干弧形波導壁；所述縫隙陣(53)沿各弧形波導壁縱向周期分布。

2.如權利要求1所述的一種具有全向輻射能力的相對論磁控管衍射輸出結構，其特征在于，若弧形波導壁的角向尺寸小于縫隙單元的長度要求，則縫隙單元兩側沿輻射結構內(nèi)脊向內(nèi)延伸。

3.如權利要求1所述的一種具有全向輻射能力的相對論磁控管衍射輸出結構，其特征在于，所述縫隙陣(53)根據(jù)道爾夫-切比雪夫綜合法確定單列縫隙單元的傾角；若相鄰弧形波導壁的面電流相位相反，則相鄰列的縫隙單元傾角反向；若相鄰弧形波導壁的面電流相位相同，則相鄰列的縫隙單元傾角也相同。

4.如權利要求1所述的一種具有全向輻射能力的相對論磁控管衍射輸出結構，其特征在于，所述梯形凹槽深度為工作波長的1/4。