[發明專利]納流體富集器件、其制作方法、富集方法及檢測裝置

有效

• 申請號: 202010325639.2
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN113546696B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 馬嘯塵;寧策;袁廣才;谷新;郭康;周雪原;李正亮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;G01N21/64
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉源

1.一種納流體富集器件，其特征在于，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的納米通道層，以及位于所述納米通道層背離所述襯底基板一側的電極層；其中，

所述納米通道層包括：相互獨立的富集槽和基液槽，位于所述富集槽與所述基液槽之間的第一通道，所述第一通道的兩端具有開口；

所述電極層，包括：第一電極、第二電極和第三電極；其中，所述第一電極與所述第二電極電連接；

所述第一電極在所述襯底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影與所述基液槽的正投影之間；

所述第二電極在所述襯底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影遠離所述基液槽的正投影一側；

所述第三電極在所述襯底基板上的正投影位于所述基液槽的正投影遠離所述富集槽的正投影一側；

所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極被配置為加載交流信號，以控制所述基液槽中不同荷質比的帶電粒子分批在所述富集槽內富集。

2.如權利要求1所述的納流體富集器件，其特征在于，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影臨近所述富集槽一側的邊界與所述第一通道的正投影臨近所述富集槽一側的邊界重合，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影臨近所述基液槽一側的邊界位于所述第一通道的正投影臨近所述基液槽一側的邊界所限定的區域內。

3.如權利要求1所述的納流體富集器件，其特征在于，所述納米通道層，還包括：位于所述富集槽遠離所述基液槽一側的第二通道，以及位于所述基液槽遠離所述富集槽一側的第三通道；其中，

所述第二通道臨近所述富集槽的一端具有開口，遠離所述富集槽的一端封閉，且所述第二通道在所述襯底基板上的正投影與所述第二電極的正投影完全重合；

所述第三通道臨近所述基液槽的一端具有開口，遠離所述基液槽的一端封閉，且所述第三通道在所述襯底基板上的正投影與所述第三電極的正投影完全重合。

4.如權利要求1所述的納流體富集器件，其特征在于，還包括：位于所述電極層背離所述納米通道層一側的支撐層；

所述支撐層包括第一通孔和第二通孔；

所述第一通孔在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述富集槽，所述第一電極臨近所述富集槽的邊緣區域，以及所述第二電極臨近所述富集槽的邊緣區域；

所述第二通孔在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述基液槽，以及所述第三電極臨近所述基液槽的邊緣區域。

5.如權利要求4所述的納流體富集器件，其特征在于，還包括：位于所述支撐層背離所述電極層一側的硬掩膜層；

所述硬掩膜層，包括：與所述第一通孔完全重疊的第三通孔，以及與所述第二通孔完全重疊的第四通孔。

6.如權利要求5所述的納流體富集器件，其特征在于，還包括：位于所述硬掩膜層背離所述支撐層一側的保護蓋板；

所述保護蓋板具有與所述第三通孔導通的第五通孔，以及與所述第四通孔導通的第六通孔；

所述第五通孔在所述襯底基板上的正投影與所述第三通孔的正投影互不重疊；

所述第六通孔在所述襯底基板上的正投影與所述第四通孔的正投影互不重疊。

7.一種納流體富集器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成納米通道層和電極層；

所述納米通道層，包括：相互獨立的富集槽和基液槽，位于所述富集槽與所述基液槽之間的第一通道，所述第一通道的兩端具有開口；

所述電極層，包括：第一電極、第二電極和第三電極；其中，所述第一電極與所述第二電極電連接；

所述第一電極在所述襯底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影與所述基液槽的正投影之間；

所述第二電極在所述襯底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影遠離所述基液槽的正投影一側；

所述第三電極在所述襯底基板上的正投影位于所述基液槽的正投影遠離所述富集槽的正投影一側；

所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極被配置為加載交流信號，以控制所述基液槽中不同荷質比的帶電粒子分批在所述富集槽內富集。