[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010325472.X
• 申請(qǐng)日: 2020-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111360686A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王雷;李振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江馳拓科技有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/005
• 分類號(hào): B24B37/005;B24B37/04;B24B55/06
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 陳曉瑜

1.一種半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法，其特征在于：包括：

提供待研磨晶圓并對(duì)所述待研磨晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化研磨；

供給第一清洗液，并對(duì)經(jīng)所述平坦化研磨后的所述晶圓進(jìn)行再研磨；

將經(jīng)過(guò)再研磨后的晶圓傳送到清洗模塊并進(jìn)行研磨后清洗。

2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法，其特征在于：所述再研磨以設(shè)定研磨時(shí)間到達(dá)作為停止條件。

3.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法，其特征在于：所述第一清洗液為酸性或堿性。

4.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法，其特征在于：清洗上述經(jīng)過(guò)再研磨的晶圓的步驟包括：

將所述晶圓傳送至清洗模塊，所述清洗模塊供給第二清洗液，并采用清洗刷對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗。

5.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法，其特征在于：所述再研磨過(guò)程中供給的第一清洗液與所述清洗模塊進(jìn)行研磨后清洗使用的第二清洗液相同。

6.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗方法，其特征在于：所述再研磨與所述平坦化研磨使用的同一研磨平臺(tái)。

7.一種半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗裝置，其特征在于：包括：

研磨臺(tái)；

研磨液供應(yīng)模塊，用于向所述研磨臺(tái)供應(yīng)研磨液；

清洗液供應(yīng)模塊，用于向所述研磨臺(tái)供應(yīng)第一清洗液。

8.如權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗裝置，其特征在于：還包括清洗臺(tái)，所述清洗液供應(yīng)模塊還用于向所述清洗臺(tái)供應(yīng)第二清洗液。

9.如權(quán)利要求8所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗裝置，其特征在于：還包括清洗刷，所述清洗刷用于配合所述第二清洗液清洗所述晶圓。

10.如權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械研磨和清洗裝置，其特征在于：所述第一清洗液為酸性或堿性。