[發(fā)明專利]一種新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010324686.5
• 申請(qǐng)日: 2020-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN111613262B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳靜;呂迎歡;王碩;葛浩;謝甜甜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/412
• 分類號(hào): G11C11/412;G11C11/417
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元，該新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元是通過第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管，第七晶體管和第八晶體管，這八個(gè)晶體管的電性連接得到的具有特定功能的新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元。相較于原有的存儲(chǔ)單元，通過增加的第一晶體管、第二晶體管和其他6個(gè)晶體管的結(jié)合得到的新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元采用FDSOI工藝，在不增加面積的情況下可以抑制附體效應(yīng)，而且具有低功耗和高性能的優(yōu)勢(shì)；此外，該新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元不僅可以在抗單粒子效應(yīng)能力上得到提高，還可以在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性上得到增加。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元。

背景技術(shù)

一般，在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，常常使用的隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存可分為Dynamic Random AccessMemory(DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存)和Static RAM(SRAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存)兩種，DRAM與SRAM的差異在于，DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新，以維持?jǐn)?shù)據(jù)的保存，而SRAM在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行的過程中無需刷新電路也能保存內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此，由于SRAM具有良好性能而被廣泛應(yīng)用。

現(xiàn)有技術(shù)中存在如圖1所示的傳統(tǒng)存儲(chǔ)單元，圖1是一種六管靜態(tài)存儲(chǔ)單元的電路示意圖，圖中包括第一晶體管T₁、第二晶體管T₂、第三晶體管T₃、第四晶體管T₄、第五晶體管T₅和第六晶體管T₆，其中，T₁和T₃構(gòu)成一個(gè)反相器，T₂和T₄構(gòu)成一個(gè)反相器，兩個(gè)反相器連接構(gòu)成一個(gè)鎖存器，T₅和T₆作為選擇通過管，用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫和存儲(chǔ)。現(xiàn)有的六管靜態(tài)存儲(chǔ)單元雖然可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但是其抗單粒子效應(yīng)能力較弱，當(dāng)應(yīng)用于航空航天等特殊領(lǐng)域時(shí)，由于輻照引起的單粒子效應(yīng)會(huì)引起存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，進(jìn)而會(huì)造成重大損失，因此進(jìn)行抗單粒子加固勢(shì)在必得。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元，能夠提高新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元的抗單粒子效應(yīng)能力，能夠增強(qiáng)新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元的穩(wěn)定性。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元,該新型靜態(tài)存儲(chǔ)單元包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管和第八晶體管；

第一晶體管的第一端與第二晶體管的第一端連接，第一晶體管的第二端與第三晶體管的第一端連接，第一晶體管的第三端與第五晶體管的第一端連接；

第二晶體管的第二端與第四晶體管的第一端連接，第二晶體管的第三端與第六晶體管的第一端連接；

第三晶體管的第三端與第五晶體管的第二端連接，以及與第二晶體管的第三端連接；

第四晶體管的第三端與第六晶體管的第二端連接，以及與第一晶體管的第三端連接；

第七晶體管的第一端與第三晶體管的第三端連接；

第八晶體管的第一端與第四晶體管的第三端連接。

進(jìn)一步地，該單元還包括：字線、第一位線和第二位線；

第一晶體管的第一端與字線連接，第二晶體管的第一端與字線連接，第七晶體管的第二端與字線連接，第八晶體管的第二端與字線連接；

第七晶體管的第三端與第一位線連接；

第八晶體管的第三端與第二位線連接。

進(jìn)一步地，第三晶體管的第二端上拉接電源；第四晶體管的第二端上拉接電源。

進(jìn)一步地，第五晶體管的第三端接地；第六晶體管的第三端接地。

進(jìn)一步地，第一晶體管和第二晶體管均為N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。