[發(fā)明專利]紅外焦平面器件用高密度微細(xì)銦柱陣列頂端凹點(diǎn)成型方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010324633.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-04-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111584368B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱建妹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48;H01L27/14 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務(wù)所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紅外 平面 器件 高密度 微細(xì) 陣列 頂端 成型 方法 | ||
1.一種紅外焦平面探測(cè)器用高密度微細(xì)銦柱陣列頂端凹點(diǎn)成型方法，其特征在于方法步驟如下：
1).在芯片上制備銦柱列陣；
2).白寶石片制備；取1毫米厚白寶石片切割成所需大小，二面清潔處理，選擇一面涂布光刻膠，限位曝光和顯影，得到列陣孔徑為16～18微米的光刻圖形；用LJX700離子束濺射鍍膜機(jī)對(duì)上述光刻圖形填鍍300～400nm金屬鉻層，原位鍍上1微米金層；用300B型高真空鍍膜機(jī)對(duì)上述白寶石片淀積15～20微米錫層；剝離光刻膠上的多余鉻、金、錫層；丙酮洗去光刻膠，將上述白寶石片放入180℃的回溶爐，錫柱溶化回溶提拉形成錫柱尖狀形列陣，具體為用金屬板面觸碰錫層頂端直至尖狀形，關(guān)閉回溶爐冷卻取下；
3).將步驟1)制備好的芯片上的銦柱列陣和步驟2)中制備好的白寶石片上的錫柱尖狀形列陣元對(duì)元一一對(duì)應(yīng)，通過(guò)自動(dòng)器件倒焊設(shè)備進(jìn)行擠壓，下壓深度控制在5～7um左右，再用真空吸力將白寶石片和芯片拉開(kāi)，芯片銦柱陣列頂端留下完整的凹點(diǎn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
