[發(fā)明專利]一種垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010324601.3 | 申請日： | 2020-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN111470468B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 肖東陽;孫雷蒙;王玉容;杜歡歡;涂良成 | 申請（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 垂直 納米 目標(biāo) 襯底 轉(zhuǎn)移 方法 | ||
1.一種垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、采用原子層沉積法在碳納米管表面沉積納米量級的第一金屬層，使第一金屬層與碳納米管形成歐姆接觸；其中，第一金屬層粒滲透入碳納米管表面，對碳納米管進(jìn)行浸潤和包覆；
S2、在碳納米管頂部表面的第一金屬層之上沉積微米量級的第二金屬層，來填充各碳納米管頂部之間的空隙，從而在各碳納米管頂部表面的第一金屬層之上形成連續(xù)的金屬薄膜；
S3、在目標(biāo)襯底表面沉積金屬合金，并將金屬合金與金屬薄膜進(jìn)行鍵合，從而將碳納米管轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，所述第一金屬層包括Ti、Cr、Fe、Ni中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任意一項所述的垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為10nm～100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，采用氣相沉積法在第一金屬層的表面進(jìn)行微米量級的第二金屬層沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，所述第二金屬層包括Ti、Au、Sn中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為1μm～10μm。
7.一種高導(dǎo)電導(dǎo)熱界面，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6任意一項所述的垂直碳納米管向目標(biāo)襯底轉(zhuǎn)移的方法制備所得。
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