[發(fā)明專(zhuān)利]一種叉指電極的制備方法及其在光電探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010324399.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111653647A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊國(guó)偉;楊飛;劉璞 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 廣東翰銳律師事務(wù)所 44442 | 代理人: | 胡厚財(cái) |
| 地址: | 510275 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電極 制備 方法 及其 光電 探測(cè) 領(lǐng)域 應(yīng)用 | ||
1.一種叉指電極的制備方法,其特征在于,所述制備方法為:叉指電極基底的表面滴加白碳懸浮液后,干燥得叉指電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述白碳懸浮液的濃度為1~2mg/ml,所述白碳懸浮液的滴加量為0.2~0.4ml/cm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述叉指電極基底為硅-二氧化硅基底,所述硅-二氧化硅基底需經(jīng)預(yù)處理純化后再進(jìn)行滴加步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述預(yù)處理的方法為所述硅-二氧化硅基底使用甲苯、丙酮、無(wú)水乙醇以及蒸餾水中的任意一種或多種溶劑超聲清洗后,真空干燥。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述超聲清洗的時(shí)間為5~10min/次,所述超聲清洗的次數(shù)為3~5次。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述白碳懸浮液的制備方法為:
S1、靶材浸泡于無(wú)水乙醇中,在保護(hù)氣氛中,激光光束依次經(jīng)全反射透鏡和聚焦透鏡后聚焦在靶材表面進(jìn)行脈沖激光熔蝕反應(yīng);
S2、所述脈沖激光熔蝕反應(yīng)結(jié)束后,將反應(yīng)體系的溶液滴于襯底上,蒸干溶劑得白碳;
S3、所述白碳與去離子水混合,得白碳懸浮液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,S1中,所述靶材為金靶材,所述激光光束聚焦后的光斑直徑為0.1cm,所述保護(hù)氣氛為氮?dú)夂?或氬氣,。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,S1中,所述脈沖激光熔蝕反應(yīng)的反應(yīng)時(shí)間為10~30min,所述脈沖激光熔蝕反應(yīng)的激光頻率為1~10Hz,所述脈沖激光熔蝕反應(yīng)的單脈沖能量為100~800mJ。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,S2中,所述襯底為硅片或玻璃片。
10.一種包括權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的制備方法得到的叉指電極在光電探測(cè)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于中山大學(xué),未經(jīng)中山大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010324399.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





