[發(fā)明專利]光學晶片封裝體及其制造方法

在審

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• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN111834295A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 賴俊諺;黃郁庭;沈信隆;劉滄宇;吳暉賢
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/84;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種光學晶片封裝體，包括：

第一透明基底，具有第一表面及與其相對的第二表面；

第二透明基底，位于該第一透明基底上方，且具有第一表面及與其相對的第二表面；以及

間隔層，接合于該第一透明基底的該第二表面與該第二透明基底的該第一表面之間；

其中凹口區(qū)自該第二透明基底的該第二表面延伸至該第一透明基底內，使該第一透明基底具有階梯型側壁，且其中該第一透明基底的厚度不同于該第二透明基底的厚度。

2.根據權利要求1所述的光學晶片封裝體，其中該凹口區(qū)圍繞該第一透明基底、該間隔層及該第二透明基底。

3.根據權利要求2所述的光學晶片封裝體，其中該凹口區(qū)包括第一凹口，該第一凹口的底部位于該第一透明基底的該第二表面下方，且具有圓化角落。

4.根據權利要求3所述的光學晶片封裝體，其中該第一凹口具有傾斜側壁。

5.根據權利要求3所述的光學晶片封裝體，其中該凹口區(qū)還包括第二凹口，自該第一凹口的該底部向該第一透明基底的該第一表面延伸，其中該第二凹口的底部具有圓化角落。

6.根據權利要求5所述的光學晶片封裝體，其中該第一凹口具有傾斜側壁，且該第二凹口具有垂直側壁。

7.根據權利要求1所述的光學晶片封裝體，還包括：

第一光學材料層，設置于該第一透明基底的該第二表面與該間隔層之間；以及

第二光學材料層，設置于該第二透明基底的該第一表面與該間隔層之間；

其中該第一光學材料層的膜應力不同于該第二光學材料層的膜應力。

8.根據權利要求7所述的光學晶片封裝體，其中該第一光學材料層的該膜應力小于該第二光學材料層的該膜應力，且該第一透明基底的該厚度大于該第二透明基底的該厚度。

9.根據權利要求7所述的光學晶片封裝體，其中該第一光學材料層的該膜應力大于該第二光學材料層的該膜應力，且該第一透明基底的該厚度小于該第二透明基底的該厚度。

10.根據權利要求7所述的光學晶片封裝體，其中該間隔層具有開口，以露出該第一光學材料層及該第二光學材料層。

11.根據權利要求10所述的光學晶片封裝體，其中該間隔層由非透明絕緣材料所構成。

12.根據權利要求1所述的光學晶片封裝體，其中該間隔層由透明絕緣材料所構成。

13.根據權利要求1所述的光學晶片封裝體，其中該第一透明基底及該第二透明基底由玻璃或石英所構成。

14.根據權利要求1所述的光學晶片封裝體，還包括：

導電圖案層，設置于該第一透明基底的該第一表面上或該第二透明基底的該第二表面上。

15.一種光學晶片封裝體的制造方法，包括：

提供第一透明基底及第二透明基底，其中該第一透明基底及該第二透明基底分別具有第一表面及與其相對的第二表面，且具有晶片區(qū)及圍繞該晶片區(qū)的切割道區(qū)；

通過間隔層接合該第一透明基底的該第二表面與該第二透明基底的該第一表面；

分別對該第一透明基底的該第一表面與該第二透明基底的該第二表面進行薄化制程，使該第一透明基底的厚度不同于該第二透明基底的厚度；以及

通過第一刀具進行第一切割制程，以在該第一透明基底的該切割道區(qū)與該第二透明基底的該切割道區(qū)形成第一開口，其中該第一開口自該第二透明基底的該第二表面延伸至該第一透明基底內。