[發(fā)明專利]一種提高晶圓研磨速率均一性的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010322645.2 | 申請日： | 2020-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN111331505A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 姚力軍;惠宏業(yè);潘杰;王學澤;楊加明 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海江豐平芯電子科技有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/32 |
| 代理公司： | 北京遠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人： | 王巖 |
| 地址： | 201400 上海市奉賢區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 研磨 速率 均一 方法 | ||
1.一種提高晶圓研磨速率均一性的方法，其特征在于，所述方法包括：將保持環(huán)的厚度減小0.4-0.6mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述保持環(huán)的厚度減小0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述保持環(huán)的厚度為15-20mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，采用化學機械研磨法對所述晶圓進行研磨。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述晶圓的基底厚度為700-750μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圓的基底厚度為725μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述晶圓的直徑為200mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，所述保持環(huán)的材質(zhì)為聚苯硫醚。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的方法，其特征在于，所述晶圓研磨速率為550-800A/min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
采用化學機械研磨法對直徑為200mm的晶圓進行研磨，其中，所述晶圓的基底厚度為700-750μm，所述晶圓研磨速率為550-800A/min，材質(zhì)為聚苯硫醚的保持環(huán)的厚度為15-20mm，將保持環(huán)的厚度減小0.4-0.6mm。
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