[發明專利]實現MPI基材FPC天線性能改進的結構及制備方法

有效

• 申請號: 202010322201.9
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN111405751B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 鐘騏羽;金宇;王洋;顧斌;胡桑苒
• 申請（專利權）人: 上海科谷納新材料科技有限公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 王麗

1.一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構，其特征在于，包括周期排列于MPI基材FPC天線表面的若干組雙層涂覆結構層，所述雙層涂覆結構層包括由內向外依次設置的基底層和表面層，基底層和表面層周期交替排列于MPI基材FPC天線表面，基底層和表面層之間通過官能團耦合結合在一起，基底層由高分子材料構成，表面層由氟化硅氧烷材料構成，高分子材料中具備至少一種能夠與氟化硅氧烷材料上的官能團反應的基團，所述基底層和表面層互相結合后的介電常數εr不大于3。

2.根據權利要求1所述的一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構，其特征在于，所述高分子材料的分子鏈中具備至少一種能夠與氟化硅氧烷材料上的官能團反應的親水性基團。

3.根據權利要求1所述的一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構，其特征在于，所述高分子材料的分子鏈中還含有至少一種官能團，其化學計量比能夠與氟化硅氧烷材料上的官能團反應。

4.根據權利要求2所述的一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構，其特征在于，所述親水性基團包括羥基、氨基中的一種或幾種的組合，氟化硅氧烷材料為低表面能、含有羧基官能團和氟化基團的硅氧烷材料。

5.根據權利要求3所述的一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構，其特征在于，所述高分子材料的分子鏈中含有酚、酸酐中的一種或幾種的組合，氟化硅氧烷材料為低表面能、含有環氧基基團和氟化基團的硅氧烷材料。

6.根據權利要求1所述的一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構，其特征在于，所述基底層和表面層互相結合后的厚度為0.3-5um。

7.根據權利要求1-6任一所述的一種實現MPI基材FPC天線性能改進的結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟（1）、在MPI基材FPC天線表面先涂覆高分子材料，在涂覆氟化硅氧烷材料之前，高分子材料保持不固化的流態；

步驟（2）、涂覆氟化硅氧烷材料，固化，得到第一組完整、牢固的雙層涂覆結構；

步驟（3）、在第一組雙層涂覆結構上依次按照步驟（1）和步驟（2）進行涂覆，在MPI基材FPC天線表面周期排列若干組雙層涂覆結構層。