[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010320890.X
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN112951775A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林桎葦
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含第一半導(dǎo)體裝置和第二半導(dǎo)體裝置。所述第一半導(dǎo)體裝置包含襯底和電路。所述襯底具有第一部分和第二部分。所述第一部分的第一厚度大于所述第二部分的第二厚度。所述電路安置在所述襯底的所述第二部分上。所述第二半導(dǎo)體裝置安置在所述第一半導(dǎo)體裝置的所述電路上。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可使用導(dǎo)電線進(jìn)行電連接。然而，在可在高速或高頻環(huán)境中操作的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，具有較大的導(dǎo)電路徑的導(dǎo)電線對半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的性能可能產(chǎn)生不利影響。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一些實施例，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含第一半導(dǎo)體裝置和第二半導(dǎo)體裝置。第一半導(dǎo)體裝置包含襯底和電路。襯底具有第一部分和第二部分。第一部分的第一厚度大于第二部分的第二厚度。電路安置在襯底的第二部分上。第二半導(dǎo)體裝置安置在第一半導(dǎo)體裝置的電路上。

根據(jù)本公開的一些實施例，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含第一半導(dǎo)體裝置和第二半導(dǎo)體裝置。第一半導(dǎo)體裝置具有襯底。襯底在第一高程處具有第一表面且在小于第一高程的第二高程處具有第二表面。第二半導(dǎo)體裝置安置在第一半導(dǎo)體裝置的襯底的第二表面上。

根據(jù)本公開的一些實施例，制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法包含：去除襯底的部分以形成第一部分和第二部分以使得第一部分的第一厚度大于第二部分的第二厚度；在襯底的第二部分上形成電路；且在電路上安置半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時，從以下詳細(xì)描述中容易理解本公開的各方面。應(yīng)注意，各種特征可不按比例繪制。實際上，為了論述清楚起見，可以任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖1B是半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1跨如圖1A中所示的線A-A'的橫截面視圖。

圖2是根據(jù)本公開的一些實施例的另一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。

圖3是比較例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J、圖4K、圖4L、圖4M和圖4N說明根據(jù)本公開的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的各個階段。

貫穿圖式和詳細(xì)描述使用共同參考標(biāo)號來指示相同或類似組件。結(jié)合附圖根據(jù)以下詳細(xì)描述，本公開將更顯而易見。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供用于實施所提供標(biāo)的物的不同特征的許多不同實施例或?qū)嵗Ｏ挛拿枋鼋M件和布置的具體實例。當(dāng)然，這些組件和布置只是實例且并不意欲為限制性的。在本公開中，在以下描述中，對第一特征在第二特征上方或上的形成或安置的參考可包含第一特征和第二特征直接接觸地形成或安置的實施例，且還可包含額外特征可在第一特征與第二特征之間形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接觸的實施例。另外，本公開可在各個實例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字母。這個重復(fù)是出于簡單和清晰的目的，且本身并不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關(guān)系。

下文詳細(xì)論述本公開的實施例。然而，應(yīng)了解，本公開提供了可在廣泛多種具體情境中實施的許多適用的概念。所論述的具體實施例僅僅是說明性的且并不限制本公開的范圍。

圖1A是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的俯視圖。圖1B是半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1跨如圖1A中所示的線A-A'的橫截面視圖。

圖1A簡單說明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的布局，其中為簡潔起見省略一些元件，其中圖1A中示出的元件隨后將加以詳細(xì)地描述。如圖1A中所示，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1包含半導(dǎo)體裝置100、半導(dǎo)體裝置160、硅穿孔(through silicon via，TSV)190、TSV 200、無源元件230和散熱片240。