[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010320880.6
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN112242356A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 時定康;陳振隆;蔡邦彥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

提供一種半導體裝置及其制造方法。根據本公開的一種制造方法包括提供工件，工件包括第一源極/漏極區在第一裝置區中，及第二源極/漏極區在第二裝置區中，在第一源極/漏極區及第二源極/漏極區上沉積介電層，在介電層中形成第一導孔開口以露出第一源極/漏極區，并在介電層中形成第二導孔開口以露出第二源極/漏極區，退火工件以在露出的第一源極/漏極區上形成第一半導體氧化物部件，并在露出的第二源極/漏極區上形成第二半導體氧化物部件，去除第一半導體氧化物部件以露出在介電層中第一導孔開口中的第一源極/漏極區，以及選擇性地在露出的第一源極/漏極區上形成第一外延部件。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體裝置及其制造方法，且特別關于一種選擇性外延的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

為了追求更高的裝置密度、性能以及更低的成本，半導體產業已經進入納米技術工藝節點。隨著這種進展的進行，制造和設計問題都帶來了挑戰，導致三維設計的發展，例如鰭式場效晶體管(fin-like field effect transistor,FinFET)裝置、環繞式柵極(gate-all-around,GAA)裝置、Ω-柵極裝置或Π-柵極裝置。在這些三維裝置中，柵極被形成在半導體裝置主體的通道區上或周圍。這類型的柵極允許更好的通道控制。三維裝置的其他優點包括減少的短通道效應以及較高的電流。

然而，形成三維裝置的工藝面臨許多挑戰。例如，當形成源極/漏極接觸件以耦合至源極/漏極部件時，源極/漏極部件可能會損壞，導致接觸電阻增加。補救損壞的源極/漏極部件的常規方法是在不同的裝置區中重新成長外延部件。然而，這種常規方法需要額外的光刻工藝，其成本隨著部件尺寸的縮小而增加。

因此，盡管現有的三維裝置和工藝通常已經足以滿足其預期目的，但是它們在每個方面并非完全令人滿意。

發明內容

本發明實施例提供一種制造半導體裝置的方法，包括提供工件，包括第一源極/漏極區在第一裝置區中，及第二源極/漏極區在第二裝置區中，在第一源極/漏極區及第二源極/漏極區上沉積介電層，在介電層中形成第一導孔開口以露出第一源極/漏極區，并在介電層中形成第二導孔開口以露出第二源極/漏極區，退火工件以在露出的第一源極/漏極區上形成第一半導體氧化物部件，并在露出的第二源極/漏極區上形成第二半導體氧化物部件，去除第一半導體氧化物部件以露出在介電層中第一導孔開口中的第一源極/漏極區，以及選擇性地在露出的第一源極/漏極區上形成第一外延部件。

本發明實施例提供一種制造半導體裝置的方法，包括在介電層中形成第一導孔開口以露出第一源極/漏極區，在介電層中形成第二導孔開口以露出第二源極/漏極區，同時氧化第一源極/漏極區以在第一源極/漏極區上形成第一氧化物部件，以及第二源極/漏極區以在第二源極/漏極區上形成第二氧化物部件，去除第一氧化物部件以露出第一源極/漏極區，利用一部分的第二氧化物部件作為第一阻擋層，選擇性地在第一源極/漏極區上形成第一外延部件，去除第二氧化物部件以露出第二源極/漏極區，以及利用第一外延部件作為第二阻擋層，選擇性地在第二源極/漏極區上形成第二外延部件。

本發明實施例提供一種半導體裝置，包括n型裝置區，包括第一源極/漏極區以及第一源極/漏極蓋層于第一源極/漏極部件上，以及p型裝置區，包括第二源極/漏極區以及第二源極/漏極蓋層于第二源極/漏極部件上，第一源極/漏極蓋層包括摻有n型摻質的硅，n型摻質的濃度大于n型摻質在硅中的最大固體溶解度。

附圖說明

以下將配合所附圖示詳述本公開的各面向。應注意的是，依據在業界的標準做法，各種特征并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小單元的尺寸，以清楚地表現出本公開的特征。

圖1為示例的半導體裝置的透視圖。

圖2是根據本公開一些實施例的流程圖，示出制造工件上的半導體裝置的方法。