[發明專利]顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制造方法有效
| 申請號: | 202010320861.3 | 申請日: | 2020-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN111477653B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 李海旭;袁廣才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 張相欽 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 制造 方法 | ||
本申請公開一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制造方法。該顯示面板包括TFT基板、位于TFT基板上的Micro?LED以及至少包裹所述Micro?LED的側壁的反光層,該反光層使得所述Micro?LED發出的光線從所述Micro?LED的頂部導出。由于反光層至少包裹Micro?LED的側壁,Micro?LED發出的光線會在反光層上發生反射,因此,其發出的光線盡可能從Micro?LED的頂部射出,提升了出光效率,增強了顯示效果,此外,該反光層可以通過BP設備制作,比如,在制作過程中,膠體曝光深度和涂膠均勻性容易控制,因此,這種反光層的制作難度低。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制造方法。
背景技術
micro-LED可以讓高分辨率更容易實現,比如4K甚至8K分辨率智能手機或虛擬現實屏幕等,但是,Micro-LED為點光源,其發光具有點光源特征,在使用中,其大部分光無法被利用,因此,業界需要一種技術方案,該方案能夠將Micro?LED的大部分光導出而被利用。
發明內容
為克服相關技術中存在的部分或者所有問題,本申請提供一種顯示面板。該顯示面板包括TFT基板、位于TFT基板上的Micro-LED以及至少包裹所述Micro-LED的側壁的反光層,該反光層使得所述Micro-LED發出的光線從所述Micro-LED的頂部導出。
可選地,所述反光層和所述Micro-LED相對于所述TFT基板的高度之差小于1微米。
可選地,所述反光層包括包裹所述Micro-LED的側壁的第一反光層和位于相鄰的所述Micro-LED之間的第二反光層。
可選地,所述TFT基板包括絕緣層,所述顯示面板包括絕緣部件,該絕緣部件位于所述絕緣層上且至少接觸所述Micro-LED底部的邊緣。
可選地,在所述反光層包括第二反光層的情況下,所述第二反光層位于所述絕緣層上,所述絕緣部件位于該第二反光層的兩端。
可選地,所述絕緣部件是形成于所述絕緣層上的平坦化層,在所述反光層包括第二反光層的情況下,該第二反光層位于所述平坦化層上。
可選地,所述顯示面板包括位于所述第二反光層上的遮光層。
另一方面,本申請公開一種顯示裝置,該顯示裝置包括前述任何一種顯示面板。
另一方面,本申請公開一種顯示面板的制造方法,該制造方法包括如下步驟:
將Micro-LED置于TFT基板的上方;形成至少包裹所述Micro-LED的側壁的反光層,該反光層使得所述Micro-LED的出光從所述Micro-LED的頂部導出。
可選地,形成所述反光層前,涂覆平坦化材料形成第二平坦化層,所述第二平坦化層的至少部分位于所述Micro-LED的下方。
本申請的實施方式提供的技術方案至少具有以下有益效果:
由于反光層至少包裹Micro-LED的側壁,Micro-LED發出的光線會在反光層上發生反射,因此,其發出的光線盡可能從Micro-LED的頂部射出,提升了出光效率,增強了顯示效果,特別是在該反光層配合Micro-LED本身的出光面可以使得Micro-LED的全部光線從Micro-LED的頂部射出,更加提升了出光效率以及增強了顯示效果,此外,該反光層可以通過BP設備制作,在制作過程中,膠體曝光深度和涂膠均勻性容易控制,因此,這種反光層的制作難度低。
應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本申請。
附圖說明
此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分,示出了符合本申請的實施方式,并與說明書一起用于解釋本申請的原理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





