[發明專利]垂直存儲器件

在審

• 申請號: 202010320593.5
• 申請日: 2020-04-22
• 公開（公告）號: CN112071849A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 李炅奐;金光洙;金泰勛;金容錫;金森宏治
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種垂直存儲器件，包括：

在襯底上的柵電極，所述柵電極在垂直于所述襯底的上表面的垂直方向上彼此間隔開；

溝道，穿透所述柵電極并且在所述垂直方向上延伸；

隧道絕緣圖案，形成在所述溝道的外側壁上；

電荷俘獲圖案結構，形成在所述隧道絕緣圖案的在平行于所述襯底的所述上表面的水平方向上鄰近所述柵電極的外側壁上，所述電荷俘獲圖案結構包括上電荷俘獲圖案和下電荷俘獲圖案；以及

阻擋圖案，形成在鄰近所述電荷俘獲圖案結構的所述柵電極中的每個和所述電荷俘獲圖案結構之間；

其中所述上電荷俘獲圖案的上表面高于鄰近所述電荷俘獲圖案結構的柵電極的上表面，以及

其中所述下電荷俘獲圖案的下表面低于鄰近所述電荷俘獲圖案結構的柵電極的下表面。

2.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述上電荷俘獲圖案在所述水平方向上的厚度從頂部部分朝向底部部分減小，并且所述下電荷俘獲圖案在所述水平方向上的厚度從頂部部分朝向底部部分增大。

3.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述阻擋圖案覆蓋所述柵電極中的每個的所述上表面和所述下表面。

4.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中：

所述阻擋圖案是第二阻擋圖案；以及

所述垂直存儲器件還包括第一阻擋圖案，所述第一阻擋圖案覆蓋所述上電荷俘獲圖案的所述上表面和所述下電荷俘獲圖案的所述下表面。

5.根據權利要求4所述的垂直存儲器件，其中所述第二阻擋圖案在所述垂直方向上具有比所述第一阻擋圖案的厚度大的厚度。

6.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中：

所述上電荷俘獲圖案和所述下電荷俘獲圖案通過所述隧道絕緣圖案的一部分在所述垂直方向上彼此間隔開；以及

所述隧道絕緣圖案包括在所述水平方向上遠離所述溝道突出的突起。

7.根據權利要求6所述的垂直存儲器件，其中所述阻擋圖案的側壁接觸所述隧道絕緣圖案的所述突起，并且朝向所述柵電極中的每個具有凸形。

8.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述柵電極中的每個的在所述水平方向上鄰近所述溝道的側壁朝向所述溝道具有凹形或凸形。

9.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述柵電極中的每個的在所述水平方向上鄰近所述溝道的側壁朝向所述溝道具有波浪形狀。

10.一種垂直存儲器件，包括：

在襯底上的柵電極，所述柵電極在垂直于所述襯底的上表面的垂直方向上彼此間隔開；

溝道，穿透所述柵電極并且在所述垂直方向上延伸；

隧道絕緣圖案，形成在所述溝道的外側壁上；

電荷俘獲圖案結構，形成在所述隧道絕緣圖案的在平行于所述襯底的所述上表面的水平方向上鄰近所述柵電極的外側壁上，所述電荷俘獲圖案結構包括上電荷俘獲圖案和下電荷俘獲圖案；以及

阻擋圖案，形成在鄰近所述電荷俘獲圖案結構的所述柵電極中的每個和所述電荷俘獲圖案結構之間，其中所述阻擋圖案覆蓋所述柵電極中的每個的上表面和下表面。

11.根據權利要求10所述的垂直存儲器件，其中所述阻擋圖案覆蓋所述上電荷俘獲圖案的上表面和所述下電荷俘獲圖案的下表面。

12.根據權利要求11所述的垂直存儲器件，其中所述阻擋圖案的覆蓋所述柵電極中的每個的所述上表面和所述下表面的部分具有比所述阻擋圖案的覆蓋所述上電荷俘獲圖案的所述上表面和所述下電荷俘獲圖案的所述下表面的部分的厚度大的厚度。

13.根據權利要求10所述的垂直存儲器件，其中所述上電荷俘獲圖案在所述水平方向上的厚度從頂部部分朝向底部部分減小，并且所述下電荷俘獲圖案在所述水平方向上的厚度從頂部部分朝向底部部分增大。