[發明專利]具有表面改性層的有機發光二極管

在審

• 申請號: 202010319880.4
• 申請日: 2015-04-17
• 公開（公告）號: CN111490179A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: J·D·巴茲爾;A·布翰達利;H·布海;M·阿巴比;G·J·馬里逖
• 申請（專利權）人: 維特羅平板玻璃有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 姜煌

1.有機發光二極管，包含:

基板；和

位于基板上的表面改性層，包含：

基板的至少一部分上的具有第一膨脹系數的第一膜，其中該第一膜包含納米顆粒；和

第一膜的至少一部分上的具有第二膨脹系數并且包含脊狀物和槽的第二膜，

其中該第一膨脹系數大于該第二膨脹系數，并且其中該第一膨脹系數大于100(在20℃下，10^-6m/mK)。

2.權利要求1的有機發光二極管，其中該第二膜與該第一膜直接接觸。

3.權利要求1的有機發光二極管，其中該第二膜包括氧化物、金屬氧化物、氮化物或氧氮化物膜，其具有選自Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si、和In中的金屬。

4.權利要求1的有機發光二極管，其中該第二膜比該第一膜薄。

5.權利要求1的有機發光二極管，其中該第二膜包含選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鋅、氧化鋯及其組合的氧化物。

6.權利要求1的有機發光二極管，其中該第二膜包含氧化鋁和二氧化硅。

7.權利要求1的有機發光二極管，其中該第一膜包括聚烷基硅氧烷。

8.權利要求1的有機發光二極管，其中該第二膨脹系數至少為4(在20℃下，10^-6m/mK)。

9.權利要求1的有機發光二極管，其進一步包括表面改性層上的第一電極、第一電極上的發射層和發射層上的第二電極。

10.權利要求1的有機發光二極管，其中該納米顆粒包含金屬氧化物。

11.權利要求10的有機發光二極管，其中該金屬氧化物選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋅、氧化錫、二氧化硅、氣相二氧化硅和氧化鋯。

12.制造表面改性層的方法，包括以下步驟：

在基板的至少一部分上形成具有第一膨脹系數的第一膜，其中所述基板包括玻璃或透明聚合物材料，并且其中所述第一膜包括納米顆粒；

將涂覆有第一膜的基板加熱至足以使第一膜膨脹至第二表面積的升高的溫度；

當第一膜被膨脹以具有第二表面積時，在第一膜之上形成具有第二膨脹系數的第二膜；

冷卻涂覆有第一膜和第二膜的基板，從而在第二膜中形成脊狀物和槽，

其中該第一膨脹系數大于該第二膨脹系數；和

在第二膜上形成有源堆棧。

13.權利要求12的方法，其中該納米顆粒選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋅、氧化錫、二氧化硅、氣相二氧化硅和氧化鋯。

14.權利要求12的方法，其中該第一膜包含0.01重量％至5重量％的納米顆粒。

15.權利要求12的方法，其中該第一膜包括聚烷基硅氧烷。

16.權利要求12的方法，其中該第二膜包括金屬氧化物。

17.權利要求16的方法，其中該金屬氧化物選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鋅、氧化鋯及其組合。

18.權利要求16的方法，其中該金屬氧化物是氧化鋁和二氧化硅的混合物。

19.權利要求12的方法，其中該第一膨脹系數至少為100(在20℃下，10^-6m/mK)。

20.權利要求19的方法，其中該第二膨脹系數不超過100(在20℃下，10^-6m/mK)。