[發明專利]一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層有效
| 申請號: | 202010319141.5 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111489958B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 李麗波;杜金田;翟墨 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱理工大學 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0392 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江聯合專利商標代理有限公司 23213 | 代理人: | 岳昕 |
| 地址: | 150006 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低溫 油墨 法制 銅銦鎵硒 吸收 | ||
1.一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層,其特征在于一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層是按照以下步驟進行的:
一、液相法制備銅銦鎵硒晶體
加入3mmol·L-1無水氯化鎵,5mmol·L-1二水氯化銅,3.5mmol·L-1無水硫酸銦,20mmol·L-1二氧化硒作為唯一硒源,加入適量溶劑溶解,添加1%的三乙醇胺后水浴攪拌,于氮氣條件下526℃退火處理,取出后球磨處理得到粒徑均衡的銅銦鎵硒CuIn0.7Ga0.3Se2純相晶體粉末,待用;
二、銅銦鎵硒油墨的制備
將步驟一中的銅銦鎵硒晶體粉末經處理后加入一定量的溶劑,粘結劑,充分攪拌后得到銅銦鎵硒油墨,待用;
三、銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備
取步驟二制備得到的銅銦鎵硒油墨,經不同的方法涂敷在襯底上,經簡單熱處理干燥,得到最終銅銦鎵硒吸收層薄膜。
2.根據權利要求書1所述的一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層,其特征在于步驟二中所述的粉末處理方法為離心水洗。
3.根據權利要求書1所述的一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層,其特征在于步驟二中所述的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中一種或多種組合,與銅銦鎵硒粉末比例范圍為0.01-0.1g·ml-1。
4.根據權利要求書1所述的一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層,其特征在于步驟二中所述的粘結劑為聚偏氟乙烯、醋酸纖維素中的一種或兩種,與銅銦鎵硒粉末質量分數為10%-20%。
5.根據權利要求書1所述的一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層,其特征在于步驟三中所述的不同涂敷方法為:刮刀涂敷、絲網印刷;涂敷襯底為摻氟二氧化錫導電玻璃。
6.根據權利要求書1所述的一種低溫油墨法制備的銅銦鎵硒吸收層,其特征在于步驟三中所述的涂敷后的銅銦鎵硒薄膜簡單熱處理溫度為:50-120℃,處理時間為5-24h。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





