[發(fā)明專利]一種包含多個(gè)耦合器件的超導(dǎo)電路架構(gòu)及超導(dǎo)量子芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010318557.5 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN111523672B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 晉力京;段潤堯 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京百度網(wǎng)訊科技有限公司 |
| 主分類號： | G06N10/00 | 分類號： | G06N10/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 包含 耦合 器件 超導(dǎo) 電路 架構(gòu) 量子 芯片 | ||
1.一種包含多個(gè)耦合器件的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，包括：第一量子比特和第二量子比特，以及第一耦合器件和第二耦合器件；
所述第一耦合器件，分別通過第一連接件與所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合；
所述第二耦合器件，分別通過第二連接件與所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合；
其中，所述第一量子比特和所述第二量子比特的頻率處于所述第一耦合器件的頻率和所述第二耦合器件的頻率之間，所述第一耦合器件的非線性強(qiáng)度與所述第二耦合器件的非線性強(qiáng)度的符號相反；
所述第一耦合器件為諧振腔或量子比特，所述第二耦合器件為諧振腔或量子比特。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述第一耦合器件和第二耦合器件均為制備到基態(tài)的量子比特。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述第一耦合器件包括第一超導(dǎo)量子干涉裝置，以及與所述第一超導(dǎo)量子干涉裝置并聯(lián)的第一電容器；其中，所述第一超導(dǎo)量子干涉裝置包括并聯(lián)的兩個(gè)約瑟夫森結(jié)，用于通過外加磁通對所述第一耦合器件的頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)；
所述第二耦合器件包括第二超導(dǎo)量子干涉裝置，以及與所述第二超導(dǎo)量子干涉裝置并聯(lián)的第二電容器；其中，所述第二超導(dǎo)量子干涉裝置由兩個(gè)串聯(lián)的約瑟夫森結(jié)與另一約瑟夫森結(jié)并聯(lián)而成，用于通過外加磁通對所述第二耦合器件的頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述第一量子比特包括第三超導(dǎo)量子干涉裝置，用于通過外加磁通對所述第一量子比特的頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)；
所述第二量子比特包括第四超導(dǎo)量子干涉裝置，用于通過外加磁通對所述第二量子比特的頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述第三超導(dǎo)量子干涉裝置和所述第四超導(dǎo)量子干涉裝置均包括并聯(lián)的兩個(gè)約瑟夫森結(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述第一量子比特和第二量子比特均包括降噪件，用于對量子比特所處環(huán)境的電荷漲落進(jìn)行降噪，所述降噪件為電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述第一量子比特還包括與所述第三超導(dǎo)量子干涉裝置并聯(lián)的第三電容器，用于對量子比特所處環(huán)境的電荷漲落進(jìn)行降噪；
所述第二量子比特還包括與所述第四超導(dǎo)量子干涉裝置并聯(lián)的第四電容器，用于對量子比特所處環(huán)境的電荷漲落進(jìn)行降噪。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述超導(dǎo)電路架構(gòu)中還包括：第三耦合器件；其中，
所述第三耦合器件，分別通過第三連接件與所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述超導(dǎo)電路架構(gòu)中還包括：第三量子比特、第四耦合器件和第五耦合器件；其中，
所述第四耦合器件，分別通過第四連接件與目標(biāo)計(jì)算量子比特和所述第三量子比特耦合；
所述第五耦合器件，分別通過第五連接件與所述目標(biāo)計(jì)算量子比特和所述第三量子比特耦合；
其中，所述目標(biāo)計(jì)算量子比特為所述第一量子比特。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)電路架構(gòu)，其特征在于，所述超導(dǎo)電路架構(gòu)中還包括：第三量子比特、第四耦合器件和第五耦合器件；其中，
所述第四耦合器件，分別通過第四連接件與目標(biāo)計(jì)算量子比特和所述第三量子比特耦合；
所述第五耦合器件，分別通過第五連接件與所述目標(biāo)計(jì)算量子比特和所述第三量子比特耦合；
其中，所述目標(biāo)計(jì)算量子比特為所述第二量子比特。
11.一種超導(dǎo)量子芯片，其特征在于，所述超導(dǎo)量子芯片包括權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的包含多個(gè)耦合器件的超導(dǎo)電路架構(gòu)。
12.一種超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)，其特征在于，所述超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)包括權(quán)利要求11所述的超導(dǎo)量子芯片。
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