[發(fā)明專利]一種納米環(huán)的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010317602.5 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN111453693B | 公開（公告）日： | 2023-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉召軍;蔣府龍;李四龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 南方科技大學(xué) |
| 主分類號： | B81B7/04 | 分類號： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;潘登 |
| 地址： | 518000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 制備 方法 | ||
1.一種納米環(huán)的制備方法，其特征在于，包括：
在氮化鎵基外延襯底上沉積出氧化膜；
在所述氧化膜的表面旋涂光刻膠；
基于具有預(yù)設(shè)圖案的掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影以將所述光刻膠圖案化，所述圖案化的光刻膠包括呈陣列排布在所述氧化膜上的多個納米級環(huán)狀凸起；
使用氧氣等離子體對所述圖案化的光刻膠進(jìn)行刻蝕；
基于所述圖案化的光刻膠對所述氧化膜進(jìn)行刻蝕以將所述氧化膜圖案化，所述圖案化的氧化膜包括呈陣列排布在所述氮化鎵基外延襯底上的多個納米級環(huán)狀凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)圖案中任意兩點(diǎn)之間的距離小于或等于2微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述圖案化的光刻膠對所述氧化膜進(jìn)行刻蝕以將所述氧化膜圖案化之后包括：
基于所述圖案化的氧化膜對所述氮化鎵基外延襯底進(jìn)行刻蝕以將所述氮化鎵基外延襯底圖案化，所述圖案化的氮化鎵基外延襯底包括呈陣列排布的多個納米級環(huán)狀凸起。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化膜的表面旋涂光刻膠包括：
在所述氧化膜的表面旋涂光刻膠黏附層；
在所述光刻膠黏附層的表面旋涂光刻膠；
對所述光刻膠進(jìn)行前烘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影以將所述光刻膠圖案化包括：
獲取所述光刻膠的旋涂條件；
根據(jù)所述旋涂條件確定曝光顯影條件；
根據(jù)所述曝光顯影條件對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影以將所述光刻膠圖案化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化膜為二氧化硅膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述圖案化的光刻膠對所述氧化膜進(jìn)行刻蝕以將所述氧化膜圖案化包括：
基于所述圖案化的光刻膠使用三氟甲烷和氧氣的混合等離子體對所述氧化膜進(jìn)行刻蝕以將所述氧化膜圖案化。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮化鎵基外延襯底為氮化鎵基的LED晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述基于所述圖案化的氧化膜對所述氮化鎵基外延襯底進(jìn)行刻蝕以將所述氮化鎵基外延襯底圖案化包括：
基于所述圖案化的氧化膜使用氯氣和三氯化硼的混合等離子體對所述氮化鎵基外延襯底進(jìn)行刻蝕以將所述氮化鎵基外延襯底圖案化。
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