[發(fā)明專利]一種鋁硅基薄壁殼體精鑄材料及其制備方法和研究方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010317116.3 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN111636016A | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬勇杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京聯(lián)合大學(xué) |
| 主分類號： | C22C21/02 | 分類號： | C22C21/02;C22C1/02;C22F1/043;B22D1/00;B22C9/02;G01N3/18 |
| 代理公司： | 北京馳納智財知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 陳常美 |
| 地址： | 100101 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 鋁硅基 薄壁 殼體 材料 及其 制備 方法 研究 | ||
1.一種鋁硅基薄壁殼體精鑄材料，其特征在于：采用以下重量百分比的原料制成:Si6.0％-8.0％，Mg 0.02-0.5％，F(xiàn)e 0.10％-0.15％，Ni 0.02％-0.15％，V 0.002％-0.008％，Al 余量補充。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料，其特征在于：采用以下重量百分比的原料制成:Si 6.5％-7.5％，Mg 0.03-0.45％，F(xiàn)e 0.12％-0.14％，Ni 0.05％-0.1％，V0.005％，Al 余量補充。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料，其特征在于：采用以下重量百分比的原料制成:Si 6.0％，Mg 0.02％，F(xiàn)e 0.10％，Ni 0.02％，V 0.002％，Al 余量補充。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料，其特征在于：采用以下重量百分比的原料制成:Si 6.5％，Mg 0.03％，F(xiàn)e 0.12％，Ni 0.05％％，V 0.005％，Al 余量補充。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料，其特征在于：采用以下重量百分比的原料制成:Si 8.0％，Mg 0.5％，F(xiàn)e0.15％，Ni 0.15％，V 0.008％，Al 余量補充。
6.一種如權(quán)利要求1-5中任一項所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料的制備方法，其特征在于：材料澆注時溫度為650℃-750℃；鑄造前，在650℃-700℃對熔化金屬液脫氣20-40分鐘，按T6熱處理工藝對合金板進行熱處理。
7.一種如權(quán)利要求1-5中任一項所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料的研究方法，其特征在于：在不同溫度情況下，分別經(jīng)歷多種應(yīng)變率，每個壓縮實驗在等溫恒應(yīng)變速率下完成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鋁硅基薄壁殼體精鑄材料的研究方法，其特征在于：所述溫度包括30℃, 100℃, 200℃, 300℃, 400℃, 500℃，所述應(yīng)變速率包括0.01s-1,0.1s-1,1s-1,5s-1,10s-1,20s-1。
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