[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管共源共柵的無源動態偏置

有效

• 申請號: 202010317093.6
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN111884042B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: J·E·納特根斯
• 申請（專利權）人: 升特股份有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H03K3/353
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 金輝

1.驅動電路，包括：

以共源共柵排列耦合的相同導電類型的多個晶體管，其中相同的電流流過多個晶體管中的每一個；以及

第一無源偏置電路，所述第一無源偏置電路耦合到多個晶體管中的第一晶體管的柵極端子，所述第一無源偏置電路包括，

（a）偏置電路，所述偏置電路耦合到電路節點以向第一晶體管的柵極端子提供第一偏置信號，

（b）第一電容器，所述第一電容器耦合在電路節點和供電導體之間，

（c）第一電阻器，所述第一電阻器耦合在電路節點和第一晶體管的漏極端子之間，以及

（d）第二電阻器，所述第二電阻器耦合在電路節點和第一晶體管的源極端子之間。

2.根據權利要求1所述的驅動電路，還包括：

第二無源偏置單元，所述第二無源偏置單元提供第二偏置信號；以及

多個晶體管中的第二晶體管，所述第二晶體管包括耦合用于接收第二偏置信號的柵極端子。

3.根據權利要求1所述的驅動電路，還包括多個晶體管中的第二晶體管，所述第二晶體管包括耦合用于接收數據信號的柵極端子。

4.根據權利要求1所述的驅動電路，還包括多個晶體管中的第二晶體管，所述第二晶體管包括耦合用于接收第二偏置信號的柵極端子。

5.驅動電路，包括：

第一金屬氧化物半導體（MOS）晶體管；

第一無源偏置電路，所述第一無源偏置電路耦合到第一MOS晶體管的柵極端子，所述第一無源偏置電路包括，

（a）偏置電路，所述偏置電路耦合到電路節點以向第一MOS晶體管的柵極端子提供第一偏置信號，其中所述偏置電路包括耦合到所述電路節點的電流源以及與電流源并聯耦合的第三電阻器，

（b）第一電容器，所述第一電容器耦合在電路節點和供電導體之間，

（c）第一電阻器，所述第一電阻器耦合在電路節點和第一MOS晶體管的漏極端子之間，以及

（d）第二電阻器，所述第二電阻器耦合在電路節點和第一MOS晶體管的源極端子之間；

第二MOS晶體管，所述第二MOS晶體管與第一MOS晶體管具有相同導電類型，并與第一MOS晶體管以共源共柵排列耦合，其中相同的電流流過第一MOS晶體管和第二MOS晶體管；以及

第二無源偏置電路，所述第二無源偏置電路向第二MOS晶體管的柵極端子提供第二偏置信號。

6.根據權利要求5所述的驅動電路，其中所述偏置電路還包括：

電壓源；以及

第三電阻器，所述第三電阻器耦合在電壓源和電路節點之間。

7.根據權利要求5所述的驅動電路，還包括與所述第一MOS晶體管共源共柵排列的第二MOS晶體管，以及包括耦合用于接收數據信號的柵極端子。

8.制作驅動電路的方法，包括：

提供以共源共柵排列耦合的相同導電類型的多個晶體管，其中相同的電流流過多個晶體管中的每一個；以及

提供耦合到多個晶體管的第一晶體管的柵極端子的第一無源偏置電路，所述第一無源偏置電路包括，

（a）偏置電路，所述偏置電路耦合到電路節點以向第一晶體管的柵極端子提供第一偏置信號，

（b）第一電容器，所述第一電容器耦合在電路節點和供電導體之間，

（c）第一電阻器，所述第一電阻器耦合在電路節點和第一晶體管的漏極端子之間，以及

（d）第二電阻器，所述第二電阻器耦合在電路節點和第一晶體管的源極端子之間。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

提供用于產生第二偏置信號的第二無源偏置單元；以及

提供多個晶體管中的第二晶體管，所述第二晶體管包括耦合用于接收第二偏置信號的柵極端子。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述偏置電路包括：

電壓源；以及

第三電阻器，所述第三電阻器耦合在電壓源和電路節點之間。