[發(fā)明專利]一種MEMS結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010317019.4 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111405442A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉端 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽奧飛聲學(xué)科技有限公司 |
| 主分類號: | H04R19/00 | 分類號: | H04R19/00;H04R19/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230092 安徽省合肥市高新區(qū)習(xí)友路333*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mems 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
襯底,包括外環(huán)體和設(shè)置于所述外環(huán)體內(nèi)并且與所述外環(huán)體連接的支撐板,其中,所述支撐板和所述外環(huán)體之間具有空腔;
壓電復(fù)合振動層,形成在所述襯底上方,所述壓電復(fù)合振動層包括與所述支撐板連接的固定端和懸置于所述空腔上方的自由端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,所述支撐板從所述外環(huán)體向所述外環(huán)體的中心延伸,所述壓電復(fù)合振動層包括一個或多個膜片,每個所述膜片的固定端連接于所述支撐板,每個所述膜片的自由端懸置于所述空腔上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,相鄰所述膜片的固定端不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,至少兩個相鄰所述膜片的固定端相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,每個所述膜片的自由端在振動方向上的投影輪廓位于對應(yīng)的所述空腔內(nèi)側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,每個所述膜片的自由端在振動方向上的投影輪廓與對應(yīng)的所述空腔在振動方向上的投影輪廓形狀相似。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,所述壓電復(fù)合振動層的膜片的寬度從所述固定端向所述自由端逐漸縮小。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,所述壓電復(fù)合振動層的膜片的寬度從所述固定端向所述自由端保持恒定。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,所述壓電復(fù)合振動層包括:
第一電極層,形成在所述襯底上方;
第一壓電層,形成在所述第一電極層上方;
第二電極層,形成在所述第一壓電層上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MEMS結(jié)構(gòu),其特征在于,所述壓電復(fù)合振動層還包括:
支撐層,形成在所述襯底和所述第一電極層之間。
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