[發(fā)明專利]線性調(diào)整器及電源裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010316414.0
• 申請(qǐng)日: 2020-04-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113541482B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張長(zhǎng)洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/158
• 分類號(hào): H02M3/158;G05F1/613
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李向英

本發(fā)明公開(kāi)了一種線性調(diào)整器及電源裝置，該線性調(diào)整器包括：偏置電流產(chǎn)生電路，用以根據(jù)所述輸入電壓提供偏置電流，并根據(jù)所述偏置電流產(chǎn)生控制電壓；功率管，漏極接收所述輸入電壓，柵極接收所述控制電壓，源極產(chǎn)生輸出電壓；分壓反饋單元，與所述功率管的源極連接，用以對(duì)所述輸出電壓分壓后產(chǎn)生反饋信號(hào)；調(diào)節(jié)單元，分別與所述偏置電流產(chǎn)生電路和所述分壓反饋單元連接，接收所述反饋信號(hào)，并根據(jù)所述反饋信號(hào)調(diào)節(jié)所述控制電壓。該線性調(diào)整器可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能良好，所需版圖面積小，能夠滿足芯片內(nèi)大部分場(chǎng)合的需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種線性調(diào)整器及電源裝置。

背景技術(shù)

低壓差線性調(diào)整器(Low Dropout Regulator，LDO)簡(jiǎn)稱線性調(diào)整器或串聯(lián)調(diào)整器，通過(guò)它可以將不穩(wěn)定的輸入電壓轉(zhuǎn)換為可調(diào)節(jié)的直流輸出電壓，以便于作為其它系統(tǒng)的供電電源。

線性調(diào)整器具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、占用芯片面積小和噪聲低等優(yōu)點(diǎn)，已成為電源管理芯片中的重要組成部分。線性穩(wěn)壓器能夠?yàn)槟?shù)轉(zhuǎn)換電路和射頻電路等噪聲敏感電路提供高精度、低噪聲的電源，而且由于結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，外圍元器件少，因而被廣泛應(yīng)用于片上系統(tǒng)芯片中。

但是現(xiàn)有的線性調(diào)整器電路存在輸出端電壓的輸出范圍會(huì)受到極大限制，且結(jié)構(gòu)復(fù)雜、占用版圖面積較大等問(wèn)題，不利于片上系統(tǒng)芯片的小型化發(fā)展和滿足芯片自身的內(nèi)部需求。

因此，有必要提供改進(jìn)的技術(shù)方案以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種線性調(diào)整器及電源裝置，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能良好。

根據(jù)本發(fā)明提供的一種線性調(diào)整器，包括：偏置電流產(chǎn)生電路，接收輸入電壓，用以根據(jù)所述輸入電壓提供偏置電流，并根據(jù)所述偏置電流產(chǎn)生控制電壓；功率管，漏極接收所述輸入電壓，柵極接收所述控制電壓，源極產(chǎn)生輸出電壓；分壓反饋單元，與所述功率管的源極連接，接收所述輸出電壓，并對(duì)所述輸出電壓分壓后產(chǎn)生反饋信號(hào)；調(diào)節(jié)單元，分別與所述偏置電流產(chǎn)生電路和所述分壓反饋單元連接，接收所述反饋信號(hào)，并根據(jù)所述反饋信號(hào)調(diào)節(jié)所述控制電壓。

優(yōu)選地，線性調(diào)整器還包括：輸出電容，與所述分壓反饋單元并聯(lián)連接，用于對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行穩(wěn)壓。

優(yōu)選地，所述偏置電流產(chǎn)生電路包括：第一晶體管，漏極接收所述輸入電壓，源極通過(guò)第一電阻與所述第一晶體管的柵極連接，且所述第一晶體管的源極通過(guò)所述第一電阻輸出偏置電流，所述第一晶體管的柵極與所述第一電阻的連接處輸出所述控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述分壓反饋單元包括：第二電阻、第三電阻和第四電阻，所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻依次串聯(lián)于所述功率管的源極與接地端之間，所述第三電阻和所述第四電阻的連接處輸出所述反饋信號(hào)。

優(yōu)選地，所述調(diào)節(jié)單元包括：第二晶體管，漏極與所述第一晶體管的柵極連接，所述第二晶體管的源極接地，所述第二晶體管的柵極與所述第三電阻和所述第四電阻的連接節(jié)點(diǎn)連接。

優(yōu)選地，所述第一晶體管和所述功率管均為高壓耗盡型NMOS晶體管。

優(yōu)選地，所述第一晶體管的導(dǎo)通閾值電壓具有負(fù)溫度特性，所述第一電阻具有負(fù)溫度特性。

優(yōu)選地，所述第二電阻具有正溫度特性，所述第三電阻和所述第四電阻具有負(fù)溫度特性。

優(yōu)選地，所述第三電阻和所述第四電阻的阻值大于所述第二電阻的阻值。

優(yōu)選地，所述第二晶體管為低壓增強(qiáng)型NMOS晶體管。

優(yōu)選地，所述第二晶體管的導(dǎo)通閾值電壓具有負(fù)溫度特性。