[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010316374.X
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN111863743A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 江口佳佑;米山玲;青木伸親;日高大樹
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L29/06;H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

半導體基板；

多個晶體管部和多個二極管部，它們設置于所述半導體基板，且配置于與所述半導體基板的表面平行的一個方向；

表面電極，其設置于所述半導體基板的所述表面，與所述多個晶體管部和所述多個二極管部電連接；以及

外部配線，其包含與所述表面電極接合的接合部，該外部配線通過所述接合部與所述表面電極電連接，

所述多個晶體管部和所述多個二極管部設置于所述半導體基板的俯視觀察時的第1區域和第2區域，

所述多個晶體管部的每一者和所述多個二極管部的每一者交替地配置于所述一個方向，

所述第1區域處的所述多個晶體管部的每一者的所述一個方向的寬度即第1晶體管寬度和所述第1區域處的所述多個二極管部的每一者的所述一個方向的寬度即第1二極管寬度比所述外部配線的所述接合部的寬度小，

所述第2區域處的所述多個晶體管部的每一者的所述一個方向的寬度即第2晶體管寬度和所述第2區域處的所述多個二極管部的每一者的所述一個方向的寬度即第2二極管寬度比所述外部配線的所述接合部的所述寬度大。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述外部配線的所述接合部接合至所述第1區域處的所述多個晶體管部中的一個晶體管部和所述第1區域處的所述多個二極管部中的與所述一個晶體管部相鄰的一個二極管部之間的邊界部之上的所述表面電極。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

還具有在所述半導體基板的所述第2區域的所述表面設置的柵極電極，

所述第1區域設置于與連接于所述柵極電極的信號配線相反的方向。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管部的每一者和所述多個二極管部的每一者是與所述外部配線的連接方向平行地配置的，

所述外部配線與所述第1區域處的所述一個晶體管部和所述一個二極管部之間的邊界線平行地連接，

所述接合部連接于所述邊界部。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

還具有在所述半導體基板的所述第2區域的所述表面設置的柵極電極，

所述第1區域設置于與連接于所述柵極電極的信號配線相反的方向。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述第1晶體管寬度比所述第1二極管寬度大，且所述第2晶體管寬度比所述第2二極管寬度大。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述第1晶體管寬度及所述第1二極管寬度中的小的一者的寬度的二分之一的值比所述半導體基板的厚度的2倍的值大。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

在所述半導體基板的所述第2區域的所述表面還具有柵極電極，

所述外部配線從所述接合部向與連接于所述柵極電極的信號配線所在的方向不同的方向延伸。

9.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述外部配線包含有在所述邊界部之上的所述表面電極的多個位置處與所述表面電極接合的多個接合部，

所述多個接合部的每一者與所述接合部對應。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

在所述半導體基板的所述第2區域的所述表面還具有柵極電極，

所述外部配線從所述多個接合部向與連接于所述柵極電極的信號配線所在的方向不同的方向延伸。