[發明專利]高壓半導體裝置

在審

• 申請號: 202010316243.1
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN113540078A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 林庭佑;莊政新;黃紹璋
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 王震宇

1.一種高壓半導體裝置，包含：

一基底，具有一第一導電類型；

一第一絕緣結構，設置在所述基底上；

一漏極區域，設置于所述基底內，所述漏極區域具有一第二導電類型，所述第二導電類型與所述第一導電類型互補；

一源極區域，設置于所述基底內，所述源極區域包含有一第一部分以及一第二部分，且所述第一部分具有所述第二導電類型，所述第二部分具有所述第一導電類型；

一柵極，設置在所述基底上，位在所述源極區域與所述漏極區域之間且部分覆蓋所述第一絕緣結構的一側；以及

一隔離摻雜區，設置于所述基底內，所述隔離摻雜區包含有一第一摻雜部分以及一第二摻雜部分，所述第一摻雜部分以及所述第二摻雜部分具有所述第一導電類型且相互分隔地設置在所述第一絕緣結構下方。

2.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，還包含：

一漏極摻雜區，設置于所述基底內，其中所述漏極區域的摻雜濃度大于所述漏極摻雜區的摻雜濃度。

3.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，其中所述第一部分以及所述第二部分彼此間隔且所述第一部分環繞所述第二部分。

4.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，還包含一深井區，設置于所述基底內且所述深井區具有所述第一導電類型，所述源極區域設置在所述深井區內。

5.如權利要求4所述的高壓半導體裝置，其中，所述柵極會部分覆蓋所述深井區。

6.如權利要求4所述的高壓半導體裝置，還包含一第一高壓井區，設置于所述基底內且所述第一高壓井區具有所述第二導電類型。

7.如權利要求6所述的高壓半導體裝置，其中，所述漏極區域、所述深井區與所述隔離摻雜區皆設置于所述第一高壓井區內。

8.如權利要求6所述的高壓半導體裝置，還包含一第二高壓井區，設置于所述基底內且所述第二高壓井區具有所述第一導電類型并環繞所述第一高壓井區。

9.如權利要求8所述的高壓半導體裝置，還包含一基體區域，位于所述第二高壓井區內。

10.如權利要求9所述的高壓半導體裝置，還包含一第二絕緣結構，設置在所述基底上并位在所述基體區域與所述漏極區域之間。

11.如權利要求6所述的高壓半導體裝置，還包含一埋層，設置在所述基底內，所述埋層具有所述第二導電類型且位于所述第一高壓井區的下方。

12.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，其中，所述第一摻雜部分以及所述第二摻雜部分具有相同的摻雜濃度與深度。

13.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，其中，所述第一摻雜部分環繞所述第二摻雜部分。

14.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，其中，所述第一絕緣結構環繞所述源極區域。

15.如權利要求1所述的高壓半導體裝置，其中，所述第一絕緣結構的所述側鄰近于所述源極結構。