[發明專利]一種四苯基卟啉二維聚合物薄膜及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 202010315707.7 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN113527696A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 陳建毅;劉明輝;劉友星;白一超;王鑫玉;商圣從;劉云圻 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | C08G83/00 | 分類號： | C08G83/00;C08J5/18;H01L51/05;C08L87/00 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 苯基 卟啉 二維 聚合物 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種制備四苯基卟啉二維聚合物薄膜的方法，包括如下步驟：將四溴苯基卟啉和金屬(100)單晶襯底置于管式爐中，使得所述四溴苯基卟啉分解并在所述金屬(100)單晶襯底上生長，即得到四苯基卟啉二維聚合物薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述金屬(100)單晶襯底選自銅(100)單晶、金(100)單晶和鎳(100)單晶中的至少一種。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述生長在氫氣氣氛或惰性氣氛中進行；
所述惰性氣氛選自氬氣和/或氮氣；
所述氫氣氣氛或惰性氣氛流量為2sccm～200sccm，壓力為5Pa～2×105Pa。
4.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述生長的條件如下：所述管式爐中放置四溴苯基卟啉位置的溫度為150～300℃；
所述管式爐中放置金屬(100)單晶位置的溫度為300～400℃。
5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述生長的時間為1～100h。
6.根據權利要求1-5任一所述的方法，其特征在于：所述方法中，還包括在進行所述生長之前，將所述管式爐內進行至少一次抽真空并通入所述惰性氣體的步驟。
7.根據權利要求1-6任一所述的方法，其特征在于：所述方法中，還包括在所述四溴苯基卟啉置于所述管式爐之前，將所述金屬(100)單晶襯底在所述管式爐內進行退火的步驟；
所述退火的條件具體如下：在氫氣氣氛或惰性氣氛中進行所述退火；所述惰性氣氛選自氬氣和/或氮氣；
所述氫氣氣氛或惰性氣氛的流量為2sccm～200sccm；所述退火壓力為5Pa～2×105Pa；
所述退火的溫度為400～1050℃；所述退火的時間為30min～20h。
8.權利要求1-7所述的方法制備得到的所述四苯基卟啉二維聚合物薄膜。
9.根據權利要求8所述的四苯基卟啉二維聚合物薄膜，其特征在于：所述四苯基卟啉二維聚合物薄膜的厚度為0.5nm～20nm。
10.權利要求8所述的四苯基卟啉二維聚合物薄膜在制備能量存儲器件、傳感器、超級電容器、納米催化材料、場效應晶體管和氣體分離材料中至少一種中的應用。
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