[發明專利]柔性復合膜及其制備方法、電子器件有效
| 申請號： | 202010315664.2 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN111534802B | 公開（公告）日： | 2023-01-24 |
| 發明（設計）人： | 張迅;易偉華;鄭芳平;徐彬彬;洪華俊 | 申請（專利權）人： | 江西沃格光電股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/58;C23C28/02;C23C28/00 |
| 代理公司： | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聰 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 復合 及其 制備 方法 電子器件 | ||
1.一種柔性復合膜，其特征在于，包括：
柔性基材；
第一過渡層，接觸地位于所述柔性基材上，所述第一過渡層含有ATO；
第二過渡層，位于所述第一過渡層上，所述第二過渡層含有金的氧化物、銦、鉑、鉑的氧化物、銀的氧化物和氧化鋁中的至少一種；
銅層，位于所述第二過渡層遠離所述第一過渡層的一側；
所述柔性復合膜的制備方法，包括以下步驟：
在所述柔性基材上形成所述第一過渡層；
采用磁控濺射在所述第一過渡層上沉積所述第二過渡層，所述第一過渡層的溫度不超過30℃，所述磁控濺射的功率不超過1kW；
采用磁控濺射在所述第二過渡層上沉積所述銅層，所述第二過渡層的溫度不超過30℃，所述磁控濺射的功率不超過1kW。
2.根據權利要求1所述的柔性復合膜，其特征在于，所述第二過渡層的厚度為10nm～1000nm；及/或，所述第一過渡層的厚度為10nm～1000nm。
3.根據權利要求1所述的柔性復合膜，其特征在于，所述第一過渡層的材料為ATO，所述ATO包括SnO2和Sb2O3，SnO2和Sb2O3的質量之比為(10：90)～(50：50)。
4.根據權利要求1所述的柔性復合膜，其特征在于，所述柔性基材為聚酰亞胺薄膜、聚乙烯薄膜、聚酯薄膜、環烯烴聚合物薄膜、液晶聚合物薄膜及聚二甲基硅氧烷薄膜中的一種。
5.根據權利要求1所述的柔性復合膜，其特征在于，所述銅層為圖案化的銅層。
6.一種柔性復合膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在柔性基材上形成第一過渡層，所述第一過渡層含有ATO；
在所述第一過渡層上沉積第二過渡層，所述第二過渡層含有金的氧化物、銦、鉑、鉑的氧化物、銀的氧化物和氧化鋁中的至少一種；
在所述第二過渡層遠離所述第一過渡層的一側沉積銅，得到銅層；其中：
采用磁控濺射在所述第二過渡層上沉積所述銅層，所述第二過渡層的溫度不超過30℃，所述磁控濺射的功率不超過1kW；
采用磁控濺射在所述第一過渡層上沉積所述第二過渡層，所述第一過渡層的溫度不超過30℃，所述磁控濺射的功率不超過1kW。
7.根據權利要求6所述的柔性復合膜的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述第二過渡層上沉積所述銅層時磁控濺射的功率為0.1kW～1kW；及/或，
采用磁控濺射在所述第一過渡層上沉積所述第二過渡層時，磁控濺射的功率為0.1kW～1kW，磁控濺射的時間為5min～60min。
8.根據權利要求6所述的柔性復合膜的制備方法，其特征在于，所述在柔性基材上形成第一過渡層的步驟包括：將所述柔性基材浸泡在ATO溶液中。
9.根據權利要求6～8任一項所述的柔性復合膜的制備方法，其特征在于，在所述第二過渡層遠離所述第一過渡層的一側沉積銅而得到銅層的步驟之后，還包括蝕刻所述銅層的步驟。
10.一種電子器件，其特征在于，包括權利要求6～9任一項所述的柔性復合膜的制備方法制得的柔性復合膜。
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