[發明專利]一種SOT-MRAM的測試結構及其測試方法

有效

• 申請號: 202010315504.8
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN111508549B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 哀立波;王明;王璐
• 申請（專利權）人: 浙江馳拓科技有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種SOT-MRAM的測試結構，其特征在于，包括：

n個首尾依次串聯連接的自旋軌道矩磁存儲位元，每個自旋軌道矩磁存儲位元包括自旋軌道矩提供線、以及設置在所述自旋軌道矩提供線上的磁性隧道結；相鄰的兩個自旋軌道矩磁存儲位元之間，其中一個自旋軌道矩磁存儲位元中的磁性隧道結與另一個自旋軌道矩磁存儲位元中的自旋軌道矩提供線連接；

用于激勵n個磁性隧道結的激勵電路；

用于測試所述n個磁性隧道結的電阻值的兩個第一測試電極，所述兩個第一測試電極分別與所述n個自旋軌道矩磁存儲位元中位于首尾兩端的兩個自旋軌道矩磁存儲位元連接；

其中，所述激勵電路包括：

兩個第二測試電極；每個自旋軌道矩提供線的兩端分別與所述兩個第二測試電極串聯連接，且任意兩個自旋軌道矩提供線之間并聯連接；

串聯在每個自旋軌道矩提供線兩端且用于控制所述兩個第二測試電極與每個自旋軌道矩提供線之間開路還是閉路的兩個控制開關。

2.如權利要求1所述的SOT-MRAM的測試結構，其特征在于，每個控制開關具有兩個接線端、以及控制所述兩個接線端開路或閉路的控制端；每個控制開關上的兩個接線端中的一個接線端與對應的自旋軌道矩提供線連接，另一個接線端與對應的第二測試電極連接；且同一自旋軌道矩提供線上的兩個控制開關的控制端串聯連接；

所述測試結構還包括：m個第三測試電極，其中，m為大于0且小于或等于n的整數；每個第三測試電極至少與一個自旋軌道矩提供線上的兩個控制開關的控制端連接，以控制所述控制開關開路或閉路；且每個自旋軌道矩提供線上的兩個控制開關的控制端僅與一個第三測試電極連接。

3.如權利要求1或2所述的SOT-MRAM的測試結構，其特征在于，所述控制開關為N/PMOS管、BJT或IGBT。

4.如權利要求1所述的SOT-MRAM的測試結構，其特征在于，每個磁性隧道結包括：

設置在對應的自旋軌道矩提供線上的自由層；

設置在所述自由層上的隧道阻擋層；

以及設置在所述隧道阻擋層上的參考層，且所述自由層與所述參考層通過所述隧道阻擋層隔開；

相鄰的兩個自旋軌道矩磁存儲位元之間，其中一個自旋軌道矩磁存儲位元中磁性隧道結的參考層與另一個自旋軌道矩磁存儲位元的自旋軌道矩提供線連接。

5.如權利要求1所述的SOT-MRAM的測試結構，其特征在于，還包括用于給所述n個磁性隧道結提供磁激勵源的磁激勵組件。

6.一種SOT-MRAM的測試結構，其特征在于，包括：

n個首尾依次串聯連接的自旋軌道矩磁存儲位元，每個自旋軌道矩磁存儲位元包括自旋軌道矩提供線、以及設置在所述自旋軌道矩提供線上的磁性隧道結；相鄰的兩個自旋軌道矩磁存儲位元之間，其中一個自旋軌道矩磁存儲位元中的磁性隧道結與另一個自旋軌道矩磁存儲位元中的自旋軌道矩提供線連接；任意相鄰的兩個自旋軌道矩磁存儲位元之間，其中一個自旋軌道矩磁存儲位元中的自旋軌道矩提供線與另一個自旋軌道矩磁存儲位元中的自旋軌道矩提供線串聯連接；

用于激勵n個磁性隧道結的激勵電路；

用于測試所述n個磁性隧道結的電阻值的兩個第一測試電極，所述兩個第一測試電極分別與所述n個自旋軌道矩磁存儲位元中位于首尾兩端的兩個自旋軌道矩磁存儲位元連接；所述兩個第一測試電極還分別與所述n個自旋軌道矩提供線中位于首尾兩端的兩個自旋軌道矩提供線串聯連接；

其中，所述激勵電路包括：

設置在任意相鄰的兩個自旋軌道矩提供線之間且用于控制所述相鄰的兩個自旋軌道矩提供線開路還是閉路的控制開關。