[發明專利]一種壓電復合薄膜及其制備方法在審
| 申請號： | 202010315141.8 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN113540338A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 李真宇;朱厚彬;張秀全;楊超;李洋洋 | 申請（專利權）人： | 濟南晶正電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/18 | 分類號： | H01L41/18;H01L41/311;H01L41/312;H03H3/10;H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長明;許偉群 |
| 地址： | 250100 山東省濟南市高新區港*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 壓電 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種壓電復合薄膜，包括依次疊加的襯底層(300)、低聲阻層(200)以及壓電層(100)，其特征在于，低聲阻層(200)中摻有氯離子，所述氯離子均勻分布在低聲阻層(200)之中或者位于低聲阻層(200)中的局部區域。
2.根據權利要求1所述的壓電復合薄膜，其特征在于，所述低聲阻層(200)中氯離子的含量大于2x1018 atoms/cm3。
3.根據權利要求1所述的壓電復合薄膜，其特征在于，壓電層(100)的材料為單晶鉭酸鋰或單晶鈮酸鋰，以及，所述壓電層(100)的厚度為100～2000nm。
4.根據權利要求1所述的壓電復合薄膜，其特征在于，所述襯底層(300)與所述低聲阻層(200)之間設置具有預設缺陷密度的捕獲層(400)。
5.根據權利要求4所示的壓電復合薄膜，其特征在于，所述捕獲層(400)形成于所述襯底層(300)的表面區域。
6.根據權利要求4-5任一項所述的壓電復合薄膜，其特征在于，所述捕獲層(400)的缺陷密度為大于1x1011/cm2，以及所述捕獲層(400)的厚度為200～3000nm。
7.根據權利要求1所述的壓電復合薄膜，其特征在于，所述低聲阻層(200)的材料為二氧化硅，以及，所述低聲阻層(200)的厚度為100～5000nm，所述低聲阻層(200)的厚度均勻度小于1％。
8.根據權利要求1所述的壓電復合薄膜，其特征在于，所述襯底層(300)的材料為電阻率大于5000Ω·cm的單晶硅，以及，所述襯底層(300)的厚度為150～1000μm。
9.一種壓電復合薄膜制備方法，其特征在于，包括：
在襯底層上通過摻氯氧化法或者摻氯沉積法形成含氯離子的低聲阻層；
通過離子注入法和鍵合法將壓電層移動到低聲阻層上；
對襯底層、低聲阻層和壓電層的整體結構進行高溫退火處理，恢復離子注入法對壓電層的損傷，獲得壓電復合薄膜。
10.一種壓電復合薄膜制備方法，其特征在于，包括：
在襯底層上通過熱氧化法或者沉積法形成低聲阻層；
通過離子注入法使氯離子注入到低聲阻層內，形成含氯離子的低聲阻層；
通過離子注入法和鍵合法將壓電層轉移到低聲阻層上；
對襯底層、低聲阻層和壓電層的整體結構進行高溫退火處理，恢復離子注入法對壓電層的損傷，獲得壓電復合薄膜。
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