[發(fā)明專利]墨水、薄膜、電致發(fā)光二極管及制備方法、顯示器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010314886.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113201253A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅健;莊錦勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09D11/38 | 分類號(hào): | C09D11/38;C09D11/36;H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 墨水 薄膜 電致發(fā)光 二極管 制備 方法 顯示 器件 | ||
本發(fā)明公開了一種納米金屬硫族化合物墨水、納米金屬硫族化合物薄膜、電致發(fā)光二極管及制備方法、顯示器件,該納米金屬硫族化合物墨水包括金屬硫族化合物納米材料和溶劑,金屬硫族化合物納米材料分散于溶劑中。該金屬硫族化合物納米材料包括金屬硫族化合物納米顆粒和金屬硫族化合物納米片。由該納米金屬硫族化合物墨水去除溶劑并經(jīng)退火處理后可形成納米金屬硫族化合物薄膜,該薄膜作為電致發(fā)光二極管器件的電子傳輸層可有效減少漏電現(xiàn)象的發(fā)生,進(jìn)而顯著提升電致發(fā)光二極管器件的量子效率和發(fā)光效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于噴墨印刷技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種納米金屬硫族化合物墨水、納米金屬硫族化合物薄膜、電致發(fā)光二極管及制備方法、顯示器件。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)具有亮度高、響應(yīng)快、發(fā)光效率高和柔性好等優(yōu)勢(shì),具有非常廣闊的應(yīng)用前景。通常上述光電器件至少包括陰極、發(fā)光層和陽極。為了提高光電器件的性能,也會(huì)在陰極和發(fā)光層之間設(shè)置一電子傳輸層(ETL)以達(dá)到降低電子的注入效率,提高器件性能的效果。
在傳統(tǒng)的電致發(fā)光二極管器件中,常用的電子傳輸層的材料是某些金屬氧化物或金屬硫化物,其具有導(dǎo)電性較好、材料穩(wěn)定性高的優(yōu)點(diǎn),是一類優(yōu)良的電子傳輸層材料。制備金屬離子摻雜的金屬氧化物或金屬硫化物薄膜的方法如磁控濺射、化學(xué)氣相沉積法等對(duì)設(shè)備要求高,制備成本也較高。而噴墨打印技術(shù)作為近年來發(fā)展的一種非接觸、點(diǎn)陣式打印技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料精確的定量、定位沉積,且其工藝較為簡單,成本較低,易于實(shí)現(xiàn)大面積生產(chǎn)。
金屬氧化物或金屬硫化物薄膜的致密性是影響其薄膜質(zhì)量的重要因素。噴墨打印所需的金屬氧化物或金屬硫化物墨水一般是球狀的納米顆粒分散于溶劑中形成的。然而,傳統(tǒng)使用的金屬氧化物或金屬硫化物墨水在噴墨打印并去除溶劑成膜后,形成的薄膜表面存在缺陷和孔隙,進(jìn)而使器件產(chǎn)生漏電流,影響器件的發(fā)光性能。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種能夠形成致密薄膜的納米金屬硫族化合物墨水以解決上述薄膜表面存在缺陷和孔隙的問題。
進(jìn)一步提供一種由上述納米金屬硫族化合物墨水形成的納米金屬硫族化合物薄膜。
更進(jìn)一步,提供由上述納米金屬硫族化合物薄膜作為電子傳輸層的電致發(fā)光二極管及其制備方法、以及一種包括該電致發(fā)光二極管的顯示器件。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
一種納米金屬硫族化合物墨水,該納米金屬硫族化合物墨水包括金屬硫族化合物納米材料和溶劑,所述金屬硫族化合物納米材料分散于所述溶劑中,所述金屬硫族化合物納米材料包括:金屬硫族化合物納米顆粒和金屬硫族化合物納米片。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述金屬硫族化合物選自氧化鋅基化合物、二氧化鈦基化合物和硫化鋅基化合物中的至少一種。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述金屬硫族化合物納米顆粒的粒徑為3~10nm;和/或
所述金屬硫族化合物納米片的厚度為3~10nm,寬度為50~200nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,在所述金屬硫族化合物納米材料中,所述金屬硫族化合物納米顆粒與所述金屬硫族化合物納米片的質(zhì)量比是(5~100):1。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述金屬硫族化合物選自ZnO(氧化鋅)、ZnMgO(摻鎂氧化鋅)、ZnTiO3(鈦酸鋅)、ZnMgTiO3(摻鎂鈦酸鋅)、ZnCdO(摻鎘氧化鋅)、ZnWO4(鎢酸鋅)、ZnAlO(摻鋁氧化鋅)、ZnNiO(摻鎳氧化鋅)、ZnSnO3(偏錫酸鋅)和ZnTiSnO(鈦錫合摻氧化鋅)中的至少一種。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述溶劑包括醇類溶劑,所述醇類溶劑選自:甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、丙三醇、乙二醇、聚乙二醇、二乙二醇、丙二醇、丁二醇和戊二醇中的至少一種。
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