[發明專利]一種抗靜電劑和一種抗靜電離型膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202010312748.0
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN111518472A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 張詩強;虞馳程
• 申請（專利權）人: 蘇州鴻科新材料科技有限公司
• 主分類號: C09D183/06
• 分類號: C09D183/06;C09D5/24;C09D5/20;C08J7/04;C08J7/044;C08L67/02
• 代理公司: 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732
• 代理人: 王燦

1.一種抗靜電劑，其特征在于，包含如下重量份的組分：導電單體0.05～0.5份，光固化有機硅氧烷樹脂20～40份，光固化有機硅離型劑60～80份，光引發劑0.05～0.5份。

2.根據權利要求1所述的抗靜電劑，其特征在于，所述導電單體為乙烯基甲基惡唑烷酮。

3.根據權利要求1或2所述的抗靜電劑，其特征在于，所述光固化有機硅氧烷樹脂為TEGO RC711或TEGO RC722。

4.根據權利要求1所述的抗靜電劑，其特征在于，所述光固化有機硅離型劑為TEGORC902或TEGO RC922。

5.根據權利要求1或4所述的抗靜電劑，其特征在于，所述光引發劑為TEGOPHOTOINITIATORA18。

6.一種抗靜電離型膜，其特征在于，包括基膜層和功能層，所述功能層由權利要求1所述的抗靜電劑制得。

7.根據權利要求6所述的抗靜電離型膜，其特征在于，所述基膜層為PET薄膜、PP薄膜和PE薄膜中任意一種。

8.權利要求6或7所述抗靜電離型膜的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

將導電單體、光固化有機硅氧烷樹脂、光固化有機硅離型劑和光引發劑按重量配比混合得到混合料，并將混合料設置在基膜層表面；

將設置好的基膜層進行光固化處理，即得抗靜電離型膜。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述混合料設置在基膜層表面的厚度為0.4～0.6μm。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述光固化處理為紫外光固化，所述紫外光的照射強度為80～120W/cm、照射劑量為100～400J/cm²、照射時間為3～20s。