[發明專利]一種基于磁場耦合的高性能隔離放大器結構在審

申請號：	202010311735.1	申請日：	2020-04-20
公開（公告）號：	CN111654248A	公開（公告）日：	2020-09-11
發明（設計）人：	黃海濱;蔣賽尖	申請（專利權）人：	無錫思泰迪半導體有限公司
主分類號：	H03F1/42	分類號：	H03F1/42;H03F1/08;H03F1/26;H03M3/00
代理公司：	無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227	代理人：	張寧;楊辰
地址：	214028 江***	國省代碼：	江蘇;32
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種基于磁場耦合性能隔離放大器結構
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種基于磁場耦合的高性能隔離放大器結構，其包括發送端模塊、接收端模塊、磁耦合器件，所述發送端模塊包括前置放大/濾波模塊，其特征在于，所述前置放大/濾波模塊順次連接N比特Delta-Sigma調制器、電流源開關組，所述接收端模塊包括順次布置的放大整形電路、并行/串行轉換器、低通濾波器，所述磁耦合器件對應設置N+1個，N為正整數。

2.根據權利要求1所述的一種基于磁場耦合的高性能隔離放大器結構，其特征在于，所述N比特Delta-Sigma調制器包括至少兩個積分器和一個多比特量化器。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫思泰迪半導體有限公司，未經無錫思泰迪半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010311735.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。