[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 202010311490.2 | 申請日： | 2020-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN112420835A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 李健瑋;宋學昌;李彥儒;林俊池;徐梓翔;楊豐誠 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一柵極堆疊于自一基板延伸的一鰭狀物上；
形成一柵極間隔物于該柵極堆疊的側壁上；
由一第一蝕刻工藝蝕刻該鰭狀物，以形成與該柵極間隔物相鄰的一第一凹陷，其中該第一蝕刻工藝為非等向；
由一第二蝕刻工藝蝕刻該鰭狀物，以自該第一凹陷移除一蝕刻殘留物，且該第二蝕刻工藝與該第一蝕刻工藝采用的蝕刻劑不同；
由一第三蝕刻工藝蝕刻該第一凹陷的表面，以形成一第二凹陷，該第二凹陷在垂直于該基板的主要表面的方向中延伸至該柵極間隔物之下，且該第二凹陷具有V形下表面，其中該第三蝕刻工藝沿著該基板的結晶平面為非等向，且該第三蝕刻工藝與該第一蝕刻工藝采用的蝕刻劑不同；以及
外延形成一源極/漏極區于該第二凹陷中。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010311490.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體存儲器裝置及其制造方法
- 下一篇：用于提供輪胎信息的設備和方法
- 同類專利
- 專利分類
