[發明專利]OLED顯示面板有效
| 申請號: | 202010311266.3 | 申請日: | 2020-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN111415965B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 閆博 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
基板,所述基板包括顯示區和非顯示區,
薄膜晶體管層,設置在所述基板的一側,包括多個設置在所述顯示區的薄膜晶體管;
發光層,設置在所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側,且與所述顯示區對應;
裂紋阻擋層,設置在所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側,環繞所述發光層且與所述非顯示區對應;
封裝層,設置在所述發光層遠離所述薄膜晶體管層的一側,且向非顯示區的裂紋阻擋層延伸,并在所述裂紋阻擋層處形成斷裂;
其中,所述裂紋阻擋層為雙層結構,即第一裂紋阻擋層和第二裂紋阻擋層;所述第二裂紋阻擋層覆蓋所述第一裂紋阻擋層,所述第一裂紋阻擋層設置有開口部,所述第一裂紋阻擋層靠近所述第二裂紋阻擋層一側的長度小于所述第一裂紋阻擋層背離所述第二裂紋阻擋層一側的長度。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一裂紋阻擋層開口部的開口朝向所述發光層。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一裂紋阻擋層開口部的開口背離所述發光層。
4.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述裂紋阻擋層包含多個雙層結構,相鄰的兩個所述第一裂紋阻擋層開口部的開口方向相對。
5.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一裂紋阻擋層為有機層,所述第二裂紋阻擋層為無機層;所述第二裂紋阻擋層與所述第一裂紋阻擋層的開口部均具有一定的預設長度。
6.根據權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第二裂紋阻擋層的預設長度范圍為:20-80um,所述第一裂紋阻擋層開口部的預設長度范圍為大于等于1um。
7.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,OLED顯示面板還包括:
擋墻結構,設置在所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側,環繞所述發光層且與所述非顯示區對應;
所述裂紋阻擋層環繞所述擋墻結構設置,薄膜封裝層覆蓋所述擋墻結構并向裂紋阻擋層延伸。
8.根據權利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述薄膜封裝層包括:第一無機封裝層、有機封裝層以及第二無機封裝層,所述有機封裝層延伸至所述擋墻結構;所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層延伸至所述裂紋阻擋層。
9.根據權利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第二裂紋阻擋層的材料為:氮化硅、氧化硅與氮氧化硅中的一種或是多種的組合;所述第一裂紋阻擋層的材料為:平坦層、像素定義層與光罩間隔層中的一種或是多種的組合;所述擋墻結構的材料也為:平坦層、像素定義層與光罩間隔層中的一種或是多種的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





